КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Электрически короткие ЛП
При анализе электрических процессов короткую ЛП моделируют эквивалентной схемой, состоящей из емкости и индуктивности ЛП, либо только емкости, сосредоточенными в одной точке, а не распределенными по всей длине линии. При этом пренебрегают активным сопротивлением линии из-за малого его значения. На рис. 5.3, а показаны модули 1 и 2, электрически соединяемые короткой ЛП. Модуль 1, формирующий сигнал, представляется источником напряжения U с последовательно включенным сопротивлением R1. Модуль 2 является приемником сигнала и моделируется сопротивлением R2. Величины сопротивлений R1 и R2 цифровых схем зависят от состояния 0 или 1, в котором эти схемы находятся.
Эквивалентную схему короткой линии (см. рис. 5.3, б) совместно с сопротивлением R1 (полагаем, что R2 велико) представим резонансным контуром, в котором могут возникнуть колебания, действующие как помехи. Частота этих колебаний будет В результате колебательного процесса изменяющееся напряжение может несколько раз пересечь порог срабатывания интегральной схемы (модуля 2 на рис. 5.3), что приведет к многократному изменению ее логического состояния. Если колебания в ЛП прекратятся за минимальное время длительности фронта передаваемого по линии сигнала, то они не окажут влияния на работоспособность аппаратуры. Условие отсутствия колебаний в линии выполняется при L < СR12 / 4. В этом случае индуктивностью линии можно пренебречь и рассматривать ЛП в виде емкостной схемы замещения (см. рис. 5.3, в). Реакция ЛП на синусоидальный входной сигнал проявляется в уменьшении амплитуды выходного напряжения и изменении разности фаз между входным и выходным напряжением. Это приводит к зависимости напряжения на выходе линии от частоты входного сигнала. В общем случае сигналы на входе и выходе ЛП могут существенно отличаться. Если ЛП нагружается на пороговые схемы, то при подаче на вход ЛП прямоугольного импульса амплитудой U время срабатывания схемы задерживается на величину где τ = R1C — постоянная времени; Unop — пороговое напряжение логического элемента. Если длительность импульса много больше τ, то ЛП передаст импульс практически без искажений. В противном случае линия передачи будет себя вести подобно интегрирующей RC-цепи. Поэтому импульс может исчезнуть, если его амплитуда не достигнет порогового напряжения логического элемента. Перекрестные помехи обусловлены электрическим, магнитным и электромагнитным взаимодействием расположенных по соседству ЛП (рис. 5.4). Требования микроминиатюризации и, следовательно, увеличения плотности упаковки проводников ставят перед конструктором важную задачу уменьшения помех до уровней, не влияющих на точную и надежную работу аппаратуры.
Помехи на входе U3 и выходе U4 пассивной линии передачи ЛП2 от параллельно расположенной активной ЛГИ, по которой передается сигнал (см. рис. 5.4, а), при [CR3RJ(R3 + R4)] < < tф /2,5 можно представить в виде: где R1, R3 и R2, R4 — соответственно выходные и входные сопротивления модулей; С, М — емкость и взаимная индуктивность между ЛП. При выводе этих уравнений принято условие слабой взаимосвязи между линиями, что предполагает одностороннее влияние активной линии на пассивную и исключает обратное влияние. Распределенные параметры взаимной индуктивности и емкости линий заменены сосредоточенными, сопротивления утечки между линиями и сопротивления проводов не учитываются. Модуль 1 моделируется генератором напряжения U с Rx = 0 (I = U/(R1+R2)). Принятые допущения правомерны для большинства практических случаев. На рис. 5.4 модули, формирующие сигнал, расположены слева, приемные модули — справа. На входе приемного модуля 4 возникает помеха U4, равная разности двух составляющих — емкостной и индуктивной. Если токи формирующих элементов имеют противоположное направление, а приемным элементом является модуль 3, то на его входе окажется напряжение помехи, равное сумме емкостной и индуктивной помех. Для импульсных сигналов с линейными фронтами приведенные выше выражения можно записать в следующем виде:
где ∆U, ∆I, tф — перепады напряжения, тока и длительность фронта импульса соответственно. Помеха на входе и выходе пассивной линии включает емкостную и индуктивную составляющие, пропорциональные емкости С и взаимной индуктивности М. Анализ приведенных выражений позволяет сделать вывод, что емкостная составляющая возрастает с ростом скорости изменения напряжения на выходе модуля 1 и величин сопротивлений на концах пассивной линии, индуктивная помеха — с ростом скорости изменения ∆I, уменьшением суммы R3 + R4 и увеличением числа нагрузок на выходе активной линии. Свойство переключательных схем не реагировать на помехи и функционировать при воздействии помех обеспечивается их помехоустойчивостью, которая определяется из передаточной характеристики (рис. 5.5). Статическая помехоустойчивость — максимальная амплитуда помехи для напряжения высокого U1ПОМ и низкого U0ПОМ уровней, определяется из уравнений: где U1ПОР,U0ПОР — пороговые входные напряжения для логических уровней 1 и О, при которых происходит переход в область неопределенного состояния логической схемы; U1,U0 — выходные напряжения логических уровней 1 и 0. Точки А и В, а соответственно и напряжения U1ПОР,U0ПОР и U1,U0, находятся на перегибах передаточной характеристики. Параметры статической помехоустойчивости микросхем приводятся в технических условиях. Однако для нормального функционирования цифровых устройств необходимо гарантировать устойчивость их не только к статическим, но и динамическим помехам, когда учитывается не только амплитуда, но и длительность и форма импульса помехи. Если вычисленное значение помехи превысит допустимую величину, то принимаются меры по уменьшению паразитных значений М и С. Снизить значение паразитной емкости между ЛП можно уменьшением длины совместного параллельного расположения проводов на минимально возможном расстоянии друг от друга, увеличением зазора между ними, укладыванием проводов, передающих различные по уровням сигналы, в отдельные жгуты, приближением ЛП к земле (земля выполняет функцию экрана), введением экранированных проводов, использованием коаксиальных кабелей. Например, заземление оплетки коаксиального кабеля позволит целиком избавиться от емкостной помехи. Ослабить взаимную индуктивность можно за счет разнесения ЛП возможно дальше друг от друга, уменьшением площадей контуров, образуемых проводами, по которым протекают прямые и обратные токи ЛП, использованием экранированных проводов, свитых пар, коаксиальных кабелей.
Дата добавления: 2014-01-04; Просмотров: 1186; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |