Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Коливань решітки, згідно квантової механіки, можна зіставити квазічастинки - фонони. Кожному коливан Напівпровідниковий діод

Л

Тема 42. Напівпровідникові діоди та транзистори.

Напівпровідникові діоди та транзистори (2 год)

Мета: Вивчити технологію створення та режими роботи діодів та тріодів.

План 1. Напівпровідниковий діод. 2. Напівпровідниковий тріод. 3. Тунельні діоди.

Література: [1], [3], [5], [7], [16] – основна; [2], [6], [7] – додаткова.

Напівпровідниковий діод складається з двох типів напівпровідників - діркового і електронного. У процесі контакту між цими областями з області з напівпровідником n-типу в область з напівпровідником p-типу проходять електрони, які потім рекомбінують з дірками. Внаслідок цього виникає електричне поле між двома областями, що встановлює межу поділу напівпровідників - так званий pn перехід. В результаті в області з напівпровідником p-типу виникає некомпенсований заряд з негативних іонів, а в області з напівпровідником n-типу виникає некомпенсований заряд з позитивних іонів. Різниця між потенціалами досягає 0,3-0,6 В.

Зв'язок між різницею потенціалів і концентрацією домішок виражається наступною формулою:

де V T - Термодинамічна напруга, N n - Концентрація електронів, N p - Концентрація дірок, n i - Власна концентрація [2].

У процесі подачі напруги плюсом на p-напівпровідник і мінусом на n-напівпровідник зовнішнє електричне поле буде направлено проти внутрішнього електричного поля pn переходу і при достатньому напруженні електрони подолають pn перехід, і в ланцюзі діода з'явиться електричний струм (пряма провідність). При подачі напруги мінусом на область з напівпровідником p-типу і плюсом на область з напівпровідником n-типу між двома областями виникає область, яка не має вільних носіїв електричного струму (зворотна провідність). Зворотний струм напівпровідникового діода не дорівнює нулю, оскільки в обох областях завжди є неосновні носії заряду. Для цих носіїв pn перехід буде відкритий.

Таким чином, pn перехід проявляє властивості односторонньої провідності, що обумовлюється подачею напруги з різною полярністю. Це властивість використовують для випрямлення змінного струму.

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Эффект Шоттки | Фізичні властивості і застосування
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-05; Просмотров: 331; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 4.967 сек.