Полевые транзисторы с изолированным затвором. 1 Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом

1 Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом

Рассмотрим на примере П.Т. n-типа

Устройство:

Рис.29

Рис.29а

I – канал; SiO₂ – диэлектрик; п – подложка.

Принцип включения:

С-И включается так, чтобы основные носители двигались от И к С в канале; на затвор подаем потенциал, препятствующий движению основных носителей зарядов в канале; подложка всегда соединена c истоком.

В нашем примере на затвор можно подать плюс или минус. Минус препятствует движению электронов в канале, следовательно, Iс уменьшается; плюс на затворе способствует движению электронов в канале, следовательно, Iс увеличивается.

Основное свойство:

Iс=Iк и заметно зависит от Uзи.

Покажем это на стокозатворной характеристике.

Рисунок 30а

	Рисунок 30

Дата добавления: 2014-01-05