КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Статические характеристики транзисторов
Статическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором входной тока, входное напряжение, а также выходной ток и выходное напряжения не изменяются во времени. Токи, или напряжения транзистора в данном режиме описывается уравнениями статики вида I = f (u), в которых отсутствует время t. Соответствующие им графики называются статическими характеристиками. Статические характеристики транзистора могут быть представлены кривыми I = f (U). Статические характеристики каскада, выполненного по схеме с ОБ, изображенной на рис.7.8, измеряют двумя вольтметрами и двумя миллиамперметрами. Рис. 7.8. Схема для измерения статических характеристик транзистора в каскаде с ОБ
Статические характеристики транзисторов бывают двух видов: входные и выходные. Входные характеристики (рис. 7.9) - зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении: Iвх = f (Uвх) при Uвых = const. Для каскада, выполненного по схеме с ОБ: Iвх = f (Uвх) при Uвых = const, Iэ = f (Uбэ) при Uбк = const. Рис. 7.9. Выходные характеристики, соответствующие входным,
Входные характеристики представляют собой прямую ветвь открытого p-n перехода. При увеличении выходного напряжения коллектор - база транзистора носители заряда быстрее преодолевают базу и рекомбинируют, следовательно, ток базы уменьшается (когда электрон рекомбинирует в области базы, происходит кратковременное нарушение равновесия, поскольку база приобретает отрицательный заряд и батарея, которая является источником положительного заряда поставляет его в базу, и эти дырки образуют базовый ток транзистора), поэтому характеристика при напряжении коллектор-эмиттер транзистора больше 0 будет проходить левее. Выходные характеристики - зависимости выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе: Iвых = f (Uвых) при Iвх = const. Для схемы включения с ОБ Iк = f (Uбк) при Iэ = const, (рис. 7.10). Рис. 7.10. Выходные характеристики для схемы включения с ОБ
Выходные характеристики представляют собой прямые линии, почти параллельные оси напряжения. Это объясняется тем, что коллекторный переход транзистора закрыт независимо от величины напряжения база-коллектор и ток коллектора определяется только количеством носителей заряда, проходящих из эмиттера через базу в коллектор, т. е. током эмиттера.
Дата добавления: 2014-01-05; Просмотров: 1201; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |