Термостабилизация рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода

При нагревании полупроводникового кристалла транзистора рабочая точка смещается по нагрузочной прямой, что приводит к увеличению коллекторного тока I_к и уменьшению напряжения коллектор-эмиттер тран­зистора U_кэ (рис. 9.19), что равносильно приоткрыванию транзистора.

Рис. 9.19. Нагрузочная прямая

Поэтому основной задачей температурной стабили­зации является синхронное с увеличением температуры закрывание эмиттерного перехода транзистора, что можно достичь, используя терморезистор (рис. 9.20).

Рис. 9.20. Термостабилизация при помощи терморезистора

При повышении температуры сопротивление терморе­зистора уменьшается, что приводит к общему уменьше­нию сопротивлений включенных в параллель резисторов R_б" и R_t. За счет этого напряжение база-эмиттер транзистора U_бэ будет уменьшаться, и рабочая точка сохранит свое положение на нагрузочной прямой. Аналогичным образом происходит термостабилизация рабочей точки при использовании полупроводникового диода (рис. 9.21).

Рис. 9.21. Термостабилизация при помощи диода

При увеличении температуры сопротивление диода в обратном включении будет уменьшаться за счет увеличения обратного тока диода. Общее сопротивление включенных па­раллельно резистора R_б" и диода VD₁ будет уменьшаться, что приведет к уменьшению напряжения база-эмиттер U_бэ, транзистор подзапирается и рабочая точка сохраняет свое положение.

Недостатком усилительных каскадов с терморезис­тором и полупроводниковым диодом является то, что и терморезистор, и полупроводниковый диод должны подбираться по температурным свойствам для каждого конкретного транзистора, что не технологично.

Дата добавления: 2014-01-05