Методична розробка. Для позааудиторної самостійної роботи

для позааудиторної самостійної роботи

До теми: Напівпровідникові транзистори: типи, позначення. Схеми ввімкнення біполярного транзистора.

1. Навчальна мета: Вивчити: Напівпровідникові транзистори: типи, позначення. Схеми ввімкнення біполярного транзистора.

2. Студент повинен знати: Напівпровідникові транзистори: типи, позначення. Схеми ввімкнення біполярного транзистора.

3. Студент повинен вміти: Будувати і досліджувати схеми ввімкнення біполярного транзистора.

Базові знання, необхідні для засвоєння теми:

Дисципліни	Знати
1.ТОЕ   2. Фізика   3. Хімія

5. Орієнтовна карта роботи з літературою:

№	Навчальні завдання	Вказівки до завдання
1.	Опрацювати матеріал за літературою та підготувати конспект за поданою літературою і переліком запитань з теми Напівпровідникові транзистори: типи, позначення Схеми ввімкнення біполярного транзистора	Л1 с.43 -45   Л1 с.43 -45

Методичні вказівки з вивчення.

Література: (1, с. 42...55, 64...73);

(2. С. ЗІ...40.44...47); (З.с, 28...3в)_; (б, с. 112)

Методичні вказівки.

Матеріал про транзистори добре викладений у (2), але для більш глибокого вивчення рекомендується (1).

Широко поширені біполярні транзистори (мають два типи носіїв зарядів: електрони і дірки) із двома р - n - переходами і можуть включатися в схему: із зaльнoю базою (ЗБ). із загальним емітером (ЗЕ) і загальним колектором,ЗК- емітерний повторювач, (2, с. 35).

Розгляньте в транзисторі струми: струм емітера Іе, струм бази Іб і струм колектора Ік, причому Іе= Iб+Ік і Іе=Іб-Ік. Коефіцієнт підсилення по струму для схеми ЗЕ =Кі=Ік/Іб.

У транзисторі струм бази самий найменший і він визначає найбільш розповсюджену схему включення ЗЕ - вона володіє великим Кі і великим опором входу в порівнянні зі схемою ЗБ. Розгляньте вхідні I6=f(U6-e) і вихідні Ік =f(Uк-e) характеристики схеми ЗЕ (2. с. 37). Крім активного режиму (режим посилення сигналів), біполярні транзистори працюють у ключевому режимі, тобто в режимах "відкритий" чи "закритий" (ключ розімкнути чи замкнути).

6. Питання для самоконтролю:

1. У чому різниця між транзисторами типів n-p-n i p-n-р?

2. Покажіть шляхи струмів у транзисторі з загальною базою

3. Поясніть збільшення вхідного опору в схемі з загальним емітером у порівнянні зі схемою з загальною базою.

4. Поясніть, чому схема з загальним колектором володіє найбільшим вхідним опором Rвх?

5. Намалюйте статичні вхідні і вихідні характеристики транзистора з загальним емітером.

Література для самостійної роботи:

8. Забродин Ю.С.Промышленая електроника. -М.:Высшая школа, 1982.

9. Криштафович А.К.. Трифонюк В.В, Основи промышленной електор-оники. -М.: Высшая школа, 1985.

10. Основи промислової електроніки. Під ред. Герасимова В.Г.-М.:Вища школа, 1986.

11. Атаржанян Т.М. Интегральные микросхемы. - М.: Энергоиздат, 1983.

12. Князев А.Д.Элементы теория и практика обеспечения электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств. - М.: Ра-диосвязь, 1984.

13. Б.С. Гершунский. Основы электроники и микроэлектроники. - К., Высшая школа 1989.

14. Колонтаєвський Ю., Сосков А.Г. Електроніка і мікросхемотехніка: Підручник/За редакцією А.Г.Соскова- К: Каравела,2007.-384с.

Тема: Біполярні транзистори

Дата добавления: 2014-01-05