Малосигнальные физические эквивалентные схемы биполярного транзистора

Как и схемы замещения, малосигнальные физические (моделирующие) эквивалентные схемы предназначены для расчета малых переменных составляющих токов и напряжений, но элементы этих схем соответствуют структуре и физическим процессам реального транзистора. Параметры элементов физических эквивалентных схем вычисляются с помощью соотношений, вытекающих из теории транзисторов. Наиболее распространенные физические эквивалентные схемы получают путем линеаризации уравнений моделей Эберса - Молла, При этом уравнения предварительно упрощают, записывая для активного режима (малосигнальные физические эквивалентные схемы предназначены для анализа усилительных каскадов, в которых используется активный режим работы транзистора). В данном подразделе будут рассмотрены низкочастотные варианты эквивалентных схем, не учитывающие инерционность физических процессов в транзисторе.

Схема для включения транзистора ОБ

Т-образная малосигнальная эквивалентная схема приведена на рис. 3.37. Она включает:

дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода;

сопротивление тела базы;

дифференциальное выходное сопротивление транзистора;

дифференциальный коэффициент передачи тока в схеме с общей базой.

Схема получена путем линеаризации классической модели Эберса-Молла для активного режима. Для данного режима генератор тока a_I i₂ в схеме на рис. 3.37 отсутствует и i_Э = i₁. При линеаризации вместо эмиттерного перехода с нелинейной характеристикой появляется его дифференциальное сопротивление r_Э. Сопротивление r_К, учитывающее эффект Эрли определяется по выходным характеристикам транзистора в схеме с ОБ (см. определение параметра h ₂₂) величина r _к составляет десятки - сотни килоом и часто не учитывается. h_21Б »a - параметр, аналогичный статическому коэффициенту передачи тока a, но для малых приращений. В практических расчетах h_21Б часто принимают равным единице.

Дата добавления: 2014-01-06