КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Динамические свойства транзистора в схеме ОЭ
Для перехода к схеме ОЭ, как и ранее, выразим выходной ток через ток базы . Из схемы (рис. 3.43) имеем: , (3.70) где - напряжение между коллектором и точкой Бў. Подставляя в (3.70) получим , (3.71) где ; (3.72) ; rк* =rк(1 - H21Б). (3.73) Отметим, что С* К и r* К - комплексные частотнозависимые величины. Эквивалентная схема транзистора с учетом (3.71...3.74) приведена на рис.3.43. Физический смысл H21Э следует из (3.72). При ,, поэтому H21Э называется коэффициентом передачи тока базы на частоте f. Вместо H21Э и также используются обозначения b~ и fb. Для оценки частотных свойств транзистора в схеме с ОЭ найдем частотную зависимость H 21Э. Подставляя (3.64) в (3.72), получим , (3.74) где . (3.75) Величину fH21Б называют предельной частотой коэффициента передачи тока базы. При f=fH21Б . Таким образом частотная зависимость H21Э аналогична зависимости H21Б, но предельная частота в десятки и более раз ниже (примерно в h21Э раз). Физически эта закономерность объясняется с помощью векторной диаграммы токов транзистора (рис.3.44), из которой видно, что небольшой сдвиг фаз между близкими токами и вызывает сильное увеличение разностного тока . Как и в схеме с ОБ, в схеме с ОЭ дополнительную инерционность вносит емкость C*К, перезаряжающаяся через сопротивление нагрузки RН. При использовании упрощенной схемы (с одним частотнозависимым элементом H*21Э) C*К - исключают, но принимают: ; t * ОЭ=h21Э t ОЭ. (3.76) f*H21Э и t * ОЭ - характеризуют граничную частоту и постоянную времени уже усилительного каскада ОЭ с конкретным значением сопротивлением нагрузки RН. Они отличаются от аналогичных величин для схемы ОБ в десятки и более (в h 21э) раз. Отметим, что в (3.76) используется действительная величина Ѕ C*К Ѕ - низкочастотное значение модуля комплексной величины C*К при f ® 0. Параметр t * оэ часто используется при расчете длительности фронтов в импульсных схемах. Для описания частотных свойств транзистора также употребляют:
Кроме того, часто используется и П-образная эквивалентная схема (Джаколетто) - рис. 3.45.
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 561; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |