КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Лабораторная работа №3
Расчет h-параметров биполярного транзистора с ОЭ и ОБ по статическим характеристикам Практическая работа 2
Цель работы: - закрепить теоретические знания по теме «Биполярные транзисторы»; - научиться выполнять расшифровку маркировки заданного типа биполярного транзистора; - выполнить расчет h-параметра заданного биполярного транзистора. Задание: - изучить теоретический материал по теме «Биполярные транзисторы»; - расшифровать маркировку заданного типа транзистора; - выполнить расчет h-параметров транзистора. Таблица 2 Исходные данные
Содержание отчета: - название и номер практической работы; - цель работы; - задание; - таблицу исходных данных для своего варианта; - расшифровку маркировки заданного типа диода; - определение заданного типа диода; - краткий ответ, какое свойство p-n перехода используется в заданном типе диода; - схему включения заданного типа диода; - его типовую характеристику с указанием на ней рабочего участка; - расчет заданного параметра (см. таблицу 1) с пояснением его физического смысла; - область применения заданного типа транзистора. Исследование ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой (ОБ)
Цель работы: Исследовать работу биполярного транзистора в схеме с ОБ с помощью измерительных приборов, построить его ВАХ и выполнить расчет заданных параметров. Используемое оборудование: ПК, Eleсtronic Work Bench Вопросы допуска: 1. Почему в схеме с ОБ ток коллектора почти не зависит от напряжения на коллекторе и остается почти равным току эмиттера даже при напряжении на коллекторе равном нулю? 2. Каков механизм влияния коллекторного напряжения на эмиттерную характеристику? 3. Какие недостатки имеет схема с ОБ? 4. Изобразите структурную схему с ОЭ и объясните, в чем состоит отличие ее от схемы с ОБ? 5. Почему схема с ОЭ не имеет недостатков, присущих схеме с ОБ? 6. Что такое дифференциальный коэффициент передачи тока базы? Задание: - практически снять реальные входные и выходные вольт – амперные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой; - сравнить полученные ВАХ с теоретическими; - произвести графический расчет h-параметров биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой. Содержание отчета: 1. Название и цель работы. 2. Исследуемая схема (рис. 24.) 3. Таблица для снятия входных характеристик 4. Таблица для снятия выходных характеристик 5. Графическая характеристика транзистора 6. Расчет h - параметров по ВАХ.
Рис. 24 Схема исследования БТ, включенного по схеме с ОБ
Таблица для снятия входных характеристик:
Таблица для снятия выходных характеристик
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 1311; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |