КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Устройство и основные физические процессы полевого транзистора с управляющим p-n переходом, его параметры и характеристики
Расчетная часть Порядок выполнения работы (для снятия входной ВАХ) Расчет параметров по характеристикам. Графическая характеристика транзистора. Таблица для снятия входных характеристик
4. Таблица для снятия выходных характеристик:
Снять выходную ВАХ транзистора в программе моделирования Eleсtronic Work Bench. Для этого включить режим моделирования и изменять напряжение на коллекторе транзистора: клавишей «k» уменьшая, сочетанием «Shift»+«k» - увеличивая его. Величину напряжения снимать с вольтметра Uke, величину тока - с амперметра I.k Показания приборов занести в таблицу. Выключить режим моделирования. Выполнить измерения при значениях тока базы Ib=20mkA, Ib=28mkA, Ib=36mkA, ток регулировать клавишей «b» уменьшая, сочетанием «Shift»+«b» - увеличивая его. По полученным данным таблиц построить входную и выходную ВАХ. По входной ВАХ определить величину параметра h11э=Uбэ/Iб, при Uкэ=5В. По выходной ВАХ определить величину параметров h 21э, h 22э по формулам: h21э = Iк/Iб, при Uкэ=5В, h22э = Iк/Uкэ, при Iб согласно заданию. Контрольные вопросы 1. Пояснить устройство и принцип действия биполярного транзистора. 2. Как влияет изменение Uкэ на входную ВАХ транзистора? 3. Какое влияние оказывает изменение Iб на значение Iк? Глава 5 Полевые транзисторы (ПТ)
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом – это транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала p-n переходом, смещенном в обратном направлении. Канал такого транзистора объемный, представляет собой полупроводниковый кристалл с определенным типом проводимости с выводами от стока и истока. Затвор – тоже полупроводник с противоположным каналу типом проводимости, технологически соединенный с каналом. P-n переход между каналом и затвором получается обратно направленным за счет подключения к нему источника постоянного напряжения. При изменении величины обратного напряжения, подаваемого от источника на p-n переход, изменяется ширина запирающего слоя (d), а следовательно, и сечение канала (S), то есть изменением напряжения на управляющем электроде Е1 изменяют ток стока Iс. Если Е1 = 0, то Iс имеет максимальное значение, следовательно можно говорить, что такой транзистор может работать только в режиме обеднения. Различают два типа полевых транзисторов с управляющим p-n переходом: - с каналом типа-n; - с каналом тип-p (рис. 26 и 27).
Принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом поясняется статическими характеристиками. Стоковой (выходной) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения сток – исток при постоянном напряжении затвор – исток Iс = f (Uси) при Uзи = const (рис. 28). Рис. 28 Стоковая (выходная) характеристика полевого транзистора с управляющим p-n переходом Для режима усиления используется область насыщения при Uси > Uси нас. Стоко – затворной (управляющей или проходной) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения затвор – исток при постоянном напряжении сток – исток Iс = f (Uзи) при Uси = const (рис. 29). Напряжение отсечки Uзи отс, при котором Iс приближается к нулю.
Рис. 29 Стоко-затворная (управляющая или проходная) характеристика полевого транзистора с управляющим переходом
В зависимости от того, какой электрод является общим, то есть одновременно используется как входной цепь транзистора, так и выходной цепью транзистор в практике применяются три схемы включения: с общим затвором (ОЗ) с общим истоком (ОИ) и с общим стоком (ОС) (рис. 30, 31 и 32)
Рис. 30 Схема с ОИ Рис. 31 Схема с ОЗ Рис. 32 Схема с ОС Выводы 1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом – это транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала p-n переходом, смещенном в обратном направлении. 2. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом работает только в режиме обеднения. 4. Стоковой (выходной) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения сток – исток при постоянном напряжении затвор – исток. 5. Стоко – затворной (управляющей или проходной) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения затвор – исток при постоянном напряжении сток – исток.
Контрольные вопросы 1. Какие тиры полевых транзисторов с управляющим p-n переходом вы знаете? 2. Какая величина (I или U) для полевого транзистора является управляющей? 3. Что представляет собой канал полевого транзистора? 4. Какие характеристики называют статическими и для чего их используют?
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 802; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |