Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Устройство и основные физические процессы полевого транзистора с управляющим p-n переходом, его параметры и характеристики

Расчетная часть

Порядок выполнения работы (для снятия входной ВАХ)

Расчет параметров по характеристикам.

Графическая характеристика транзистора.

Таблица для снятия входных характеристик

 

% изменения                  
Uкэ, 0В Uбэ, В                  
Uкэ 0В Iб, мкА                  
Uкэ 5В Uбэ, В                  
Uкэ 5В Iб, мкВ                  

 

4. Таблица для снятия выходных характеристик:

 

% изменения                  
Uкэ, В                  
Iб = 20 мкА Iк, мА                  
Iб = 28 мкА Iк, мА                  
Iб = 36 мкА Iк, мА                  

Снять выходную ВАХ транзистора в программе моделирования Eleсtronic Work Bench. Для этого включить режим моделирования и изменять напряжение на коллекторе транзистора: клавишей «k» уменьшая, сочетанием «Shift»+«k» - увеличивая его. Величину напряжения снимать с вольтметра Uke, величину тока - с амперметра I.k Показания приборов занести в таблицу. Выключить режим моделирования.

Выполнить измерения при значениях тока базы Ib=20mkA, Ib=28mkA, Ib=36mkA, ток регулировать клавишей «b» уменьшая, сочетанием «Shift»+«b» - увеличивая его.

По полученным данным таблиц построить входную и выходную ВАХ.

По входной ВАХ определить величину параметра h11э=Uбэ/Iб, при Uкэ=5В.

По выходной ВАХ определить величину параметров h 21э, h 22э по формулам: h21э = Iк/Iб, при Uкэ=5В, h22э = Iк/Uкэ, при Iб согласно заданию.

Контрольные вопросы

1. Пояснить устройство и принцип действия биполярного транзистора.

2. Как влияет изменение Uкэ на входную ВАХ транзистора?

3. Какое влияние оказывает изменение Iб на значение Iк?

Глава 5 Полевые транзисторы (ПТ)

 

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом – это транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала p-n переходом, смещенном в обратном направлении.

Канал такого транзистора объемный, представляет собой полупроводниковый кристалл с определенным типом проводимости с выводами от стока и истока. Затвор – тоже полупроводник с противоположным каналу типом проводимости, технологически соединенный с каналом. P-n переход между каналом и затвором получается обратно направленным за счет подключения к нему источника постоянного напряжения. При изменении величины обратного напряжения, подаваемого от источника на p-n переход, изменяется ширина запирающего слоя (d), а следовательно, и сечение канала (S), то есть изменением напряжения на управляющем электроде Е1 изменяют ток стока Iс.

Если Е1 = 0, то Iс имеет максимальное значение, следовательно можно говорить, что такой транзистор может работать только в режиме обеднения.

Различают два типа полевых транзисторов с управляющим p-n переходом:

- с каналом типа-n;

- с каналом тип-p (рис. 26 и 27).

 

 

Рис.26 Полевой транзистор с управляющим p-n переходом каналом типа-n Рис.27 Полевой транзистор с управляющим p-n переходом каналом типа-p

 

Принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом поясняется статическими характеристиками.

Стоковой (выходной) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения сток – исток при постоянном напряжении затвор – исток Iс = f (Uси) при Uзи = const (рис. 28).

Рис. 28 Стоковая (выходная) характеристика полевого транзистора с управляющим p-n переходом

Для режима усиления используется область насыщения при Uси > Uси нас.

Стоко – затворной (управляющей или проходной) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения затвор – исток при постоянном напряжении сток – исток Iс = f (Uзи) при Uси = const (рис. 29).

Напряжение отсечки Uзи отс, при котором Iс приближается к нулю.

 

Uси = const
Uотс

Рис. 29 Стоко-затворная (управляющая или проходная) характеристика полевого транзистора с управляющим переходом

 

В зависимости от того, какой электрод является общим, то есть одновременно используется как входной цепь транзистора, так и выходной цепью транзистор в практике применяются три схемы включения: с общим затвором (ОЗ) с общим истоком (ОИ) и с общим стоком (ОС) (рис. 30, 31 и 32)

Рис. 30 Схема с ОИ

Рис. 31 Схема с ОЗ

Рис. 32 Схема с ОС

Выводы

1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом – это транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала p-n переходом, смещенном в обратном направлении.

2. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом работает только в режиме обеднения.

4. Стоковой (выходной) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения сток – исток при постоянном напряжении затвор – исток.

5. Стоко – затворной (управляющей или проходной) характеристикой называется зависимость тока стока от напряжения затвор – исток при постоянном напряжении сток – исток.

 


Контрольные вопросы

1. Какие тиры полевых транзисторов с управляющим p-n переходом вы знаете?

2. Какая величина (I или U) для полевого транзистора является управляющей?

3. Что представляет собой канал полевого транзистора?

4. Какие характеристики называют статическими и для чего их используют?

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Вопросы допуска | Полевые транзисторы с изолированным затвором
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 802; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.