Преимущества ИС

Классификация и основные электрические параметры ИМС

Микроэлектроника – область электронной техники, в которой создаются высоконадежные и экономичные микроминиатюрные электронные схемы.

Интегральные схемы (ИС) – это функциональный узел, имеющий высокую степень интеграции.

Степень интеграции ИС – показатель сложности микросхемы, характеризующийся числом содержащихся в ней элементов и компонентов.

Элемент ИС – часть микросхемы, реализующая функцию какого либо электроэлемента, которая выполнена в едином техническом цикле с другими элементами ИС и не может быть выделена как самостоятельное изделие.

Компонент ИС – часть ИС, реализующая функцию какого либо электроэлемента, которая может быть выполнена как самостоятельное изделие.

Таблица Классификация ИС по технологическому признаку

ИМС
полупроводниковые	гибридные	пленочные
с изоляцией p-n перехода	с изоляцией диэлектриком	Толсто - пленочные	тонко -пленочные	толсто -пленочные	тонко -пленочные
с дискретными элементами

Таблица Классификация ИС по типу обрабатываемого сигнала

ИМС
цифровые	аналоговые

Таблица Классификация ИС по физическому признаку

ИМС
на биполярных транзисторах	на МДП-транзисторах

Полупроводниковая ИС – все элементы ее (транзисторы, резисторы и так далее) и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.

Гибридная ИС – пассивные элементы выполнены на поверхности полупроводника методом тонкопленочной или толстопленочной технологии, а активные элементы – это бескорпусные транзисторы и диоды, выполненные в виде навесных элементов.

Пленочная ИС – содержит только пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, индуктивности), изготовленные методом пленочной технологии.

Совмещенные ИС – ПП ИС, в которых пассивные элементы выполнены тонкопленочной технологии.

ИС состоят из электроэлементов с абсолютно сходными характеристиками и параметрами, причем надежность ИС от числа входящих в нее элементов.

- высокая надежность;

- малая масса и габариты аппаратуры;

- малое энергопотребление;

- малая себестоимость аппаратуры.

Таблица Классификация ИМС по степени интеграции

К – степень интеграции	N – число элементов ИС от	N – число элементов ИС до	Наименование ИС
			МИС – малая ИС
			МИС – малая ИС
			СИС – средняя ИС
			БИС – большая ИС
		И более	СБИС – сверхбольшая ИС

В ИС применяются различные способы изоляции между элементами.

Межэлементная изоляция с помощью p-n перехода не требует дополнительных затрат, но ее сопротивление зависит от частоты, используется до 10 Гц.

Межэлементная изоляция диэлектриком сложная и дорогая, но дает выигрыш по частоте в 100 раз. Возможно использование комбинированного метода. В схемах СВЧ используется воздушная межэлементарная изоляция.

Дата добавления: 2014-01-06