Оперативная память. ОЗУ – интегральная микросхема, состоящая из большого числа ячеек

ОЗУ – интегральная микросхема, состоящая из большого числа ячеек. Каждая ячейка - это элемент памяти, при обращении к которому считывается несколько битов, имеющих один адрес. Адрес ячейки ОЗУ – ее порядковый номер.

Каждая ячейка ОЗУ состоит из физических ячеек, предназначенных для хранения одного бита данных.

По скорости записи-чтения данных и команд оперативную память подразделяют на кэш-память и собственно ОЗУ.

Кэш-память предназначена для хранения наиболее часто используемых данных. Время доступа к этой памяти в несколько раз меньше, чем к обычной памяти, она дороже, но, главное, что экспериментальное (т.е. в процессе работы ПК) выделение самых используемых данных обеспечивает значительное уменьшение времени доступа к оперативной памяти в целом.

Электронные схемы физических ячеек кэш-памяти не содержат конденсаторов и не требуют динамического обновления их зарядов для сохранения данных. Это память статического типа - SRAM (Static Random Access Memory).

Вначале кэш-память в виде соответствующей микросхемы устанавливали на материнской плате, вблизи центрального процессора. В настоящее время кэш-память обычно размещается в самом процессоре.

Принципы организации и исполнение ОЗУ постоянно совершенствуются. В настоящее время применяются (в порядке развития) три основные схемы ОЗУ:

- SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) – синхронизированная динамическая память с произвольным порядком выборки; принятое обозначение – DIMM,

- DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) –синхронизированная динамическая память с произвольным порядком выборки и удвоенной передачей данных; принятое обозначение – DDR DIMM,

- DRDRAM (Direct Rambus DRAM), — память (принятое обозначение – RIMM), принципы построения которой отличаются значительной новизной, позволяющая восьмикратно повысить пиковую пропускную способность в сравнении с памятью DIMM.

Отличительной особенностью ОЗУ типа SDRAM является синхронизация частоты ее работы с частотой центрального процессора.

Основное отличие ОЗУ типа DDR SDRAM от SDRAM заключается в том, что в ней за один цикл происходит два обращения к данным: по переднему фронту и срезу импульса тактового сигнала. То есть в ней чтение-запись происходит два раза за один такт.

Завершаются работы по созданию памяти DDR SDRAM с четырьмя циклами чтение-запись за один такт.

В настоящее время идет соперничество производителей памяти DDR DIMM и RIMM. Однако к началу 2003 года уже простые модули DDR SDRAM обеспечили производительность сравнимую с новыми модулями фирмы Rambus.

Дата добавления: 2014-01-06