Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Ключи на полевых транзисторах




Ключи на полевых транзисторах используются для коммутации как аналоговых, так и цифровых сигналов, причем коммутаторы аналоговых сигналов обычно выполняют на полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом или МОП-транзисторах с индуцированным или технологически встроенными каналами. В цифровых схемах применяются только МОП-транзисторы с индуцированным каналом.

Для ключей на полевых транзисторах характерно: 1) малое остаточное напряжение на ключе, находящемся в проводящем состоянии; 2) высокое сопротивление в непроводящем состоянии и, как следствие, малый ток, протекающий через транзистор, канал которого перекрыт; 3) малая мощность, потребляемая от источника управляющего напряжения; 4) хорошая электрическая развязка между цепью управления и цепью коммутируемого сигнала, что позволяет обойтись без трансформатора в цепи управления; 5) возможность коммутации электрических сигналов очень малого уровня (порядка микровольт).

По быстродействию ключи на полевых транзисторах обычно почти не уступают ключам на биполярных транзисторах. Но у них наблюдается проникновение в коммутируемую цепь дополнительных импульсов, параметры которых зависят от управляющего сигнала. Причиной их появления является наличие емкостей Сзс и Сзи.

Простейшие схемы ключей на полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и МОП-транзисторах с индуцированным каналом приведены на рис. 4, а-г.

Рис. 4. Ключевые цепи на полевых транзисторах с управляющим

p-n-переходом и МОП-транзисторах с индуцированным

каналом (а, б, в, г)

 

Сопротивление открытого ключа и напряжение Uси отк легко определить с помощью выходных характеристик транзистора. На них строится линия нагрузки (рис. 5, а-в). В точке пересечения ее с кривой, определяемой напряжением Uзи, находится значение Uси отк ключа и его ток Iн. Положение этой точки также определяет сопротивление Rси отк min.

Рис. 5. Вольт-амперные характеристики с линиями нагрузки для ключей на полевых транзисторах с управляющим р-n-переходом (а), МОП-транзисторах

с индуцированным (б) и технологически встроенным (в) каналами

 

Для увеличения экономичности и улучшения стабильности уровней выходных напряжений, что достаточно важно для цифровых устройств, широко применяют ключи на комплементарных транзисторах (рис. 6). В них при подаче управляющего напряжения одной полярности, например –eупр, открыт транзистор VT1 и резистор R подключен к источнику питания через сопротивление Rси отк1, которое сравнительно невелико. При другой полярности, +еупр, транзистор VT1 закрыт, а транзистор VT2 имеет минимальное сопротивление. При этом резистор R через сопротивление Rси отк2 соединен с общей шиной. Падение напряжения на нем практически равно нулю. При этой полярности eупр ток от источника питания не потребляется. При большом значении R рассеиваемая мощность мала и при открытом транзисторе VT1. Малая потребляемая мощность и стабильность уровней выходного напряжения, близких к нулю и напряжению питания, делают данные ключи перспективными для построения экономичных цифровых устройств различного назначения.

Рис. 6. Ключевая цепь на комплементарных транзисторах

 

Тема: «Основные типы базовых логических элементов (БЛЭ). БЛЭ транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). БЛЭ эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ). БЛЭ интегрально-инжекционной логики (И2Л). БЛЭ логики на МОП и КМОП»




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 1428; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.