Прямое включение

Включение ОУ

- прямое

- инверсное

Uвх=Uy+U_R2; Rвх→∞; iвх→0

Последовательная ОС по напряжению

Т.е. коэффициент схемы определяется только параметрами ОС

Эта схема всегда усиливает напряжения.

Меняя только R₁ и R₂ получаем требуемый коэфф. усиления, т.е. схема инвариантна к ОУ.

Входной и выходной сигнал синфазны.

a

I₁

R₁

R₂

Инверсное включение

i₂

U_у

U_вых

U_вх

Т.к. Rвх→∞, то i₁=i₂

Ua≈0; Uy<Uвхmax

Uу<<Uвх, можно считать, что т.а находится на земле.

i₁=Uвх/R₁; i₂=Uвых/R₂; т.к. i₁=i₂, то

Общий коэф. усиления определяется номиналами регистров. Здесь Кос <1, а может быть Кос>1.

Кос= - R₂ / R₁, Вход. и вых. сигналы противофазны т.е.

Rвх и Rвых также будут меняться.

Для начала обратим внимание на прямое включение:

Rвхос=Rвх+R₂ т.е.увеличение входного сопротивления.

В инверсном случае Rвх=R₁

Для Rвых картина примерно та же:

т.е. Rвых уменьшается

Схема интегратора

Ic(t)=Uвх(t)/R i=ic Uc=Uвых

Основы цифровой схемотехники

A

Аналогово – цифровая обработка информации.

t

Дискретизация:

- по уровню

-

X

по времени

Заменяем ∞ множество значений всегда конечным

X₀ 0000

X₁ 0001

X₂ 0010

……..

При передаче вводится нзбыточность, позволяя обнаруживать ошибки и даже их исправлять.

Квантование по времени:

Каждый код представляется импульсом

Раздел электроники, занимающийся передачей, приемом, обработкой импульсов называется цифровой электроникой.

Уровень «0» всегда отличен от 0В, tфронта>0

Длительность импульса:

- по основанию

- по вершине

- по середине

Период импульса T=tимп + tпаузы

f= 1/T – быстродействие (частота)

Цивровая электроника – часть импульсной электроники, изучающей импульсы произвольной формы.

Импульсная техника – один из разделов электроники.

Транзисторные ключи.

а) Ключ на биполярном транзисторе. Схема с общим эмитером

Этот ключ реализует логическую функцию отрицания и называется ИНВЕРТОРом

Повышение быстродействия ключа на БП – транзисторах.

Для уменьешния времени нарастания требуется уевличить I_б1

tр – время рассасывания избыточных носителей в базе.

tр - уменьшается при уменьшении I_б1

Необходимо, чтобы:

Схематически это реализуется следующим образом:

В этом случае:

В ИС это реализуется след. образом: диод Шотки.

Uвх=0; _é ®Iб>>Iбн®­UвхÞ¯Uвых

Uбэ®0,7В Uвых®Uкн=0,2-0,4В

Uа=Uд=0,3В Iвх=Iб+Iд

Эта схема обозначается как транзистор Шотки.

б) Ключ на полевом транзисторе

1поколение – с линейной нагрузкой

2поколение – с нелинейной нагрузкой

В качестве нагрузки (вместо Rс) ставили второй полевой транзистор одинакового типа проводимости.

3 поколение – ключевой и нагрузочный транзисторы имеют разные типы проводимости

«на компламентарных транзисторах»

Uзи1+Uзи2=Ec=const Þ ­Uзи1Û¯Uзи2

Если Т1 открыт, то Т2 - открыт

Дата добавления: 2014-01-06