КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
При прямосмещении
ОС Оптоэлектроника Раздел электроники, в котором изучаются вопросы генерации, обработки, запоминания и хранения информации на основе совместного использования электрических и оптических сигналов. Достоинства: - повышенные скорости пе6редачи сигнала; - повышенная помехоустойчивость; - электрическая развязка источника и приемника сигнала.
оптическая среда
Фотоизлучатель Фотоприемник Фотоизлучатели: - лазеры; - световоды.
Уровень Ферми
В итоге уровни богатые `е окажутся выше уровней, богатых `р. Поэтому `е-ны стремятся попасть на незаполненные уровни (богатые дырками) – результат: интенсивная рекомбинация Þизлучаются фотоны. Достоинства: - малые габариты (~1мкм); - высокий КПД (~70%); - малая мощность излучения (<=0,5Вт); - высокая надежность (~10 000 часов); - удобство управления, как следствие низких напряжений и токов. Ga Al As материалы изготовления In Ga As P
Фотоприемники
Преобразуют световые сигнал в электрические. - внутренний фотоэффект (изменение электропроводности); - фотоэффект в запирающем слое – возникновение ЭДС на границе 2-х материалов под действием света (солнечных батареи) Фоторезистор ¯ ¯ ¯ ¯ Свет модулирует ток в цепи
I Е
Основные характеристики:
-ВАХ I Ф2
Ф1 Iф Ф=0
U I=f(U)ф=const При отсутствии света получаем «теневой» ток I | ф=0 =Im Iф=I-Im Rm=U/Im – «теневое» сопротивление
- Энергетическая характеристика
Iф, мА
Ф, Вт/см2
- интегральная чувствительность Sф=Iф/Ф|u=const=¶Iф/¶Ф (в точке при опред. напр-ии)
- удельная чувствительность Sфу=Iф/(Ф*U)
- спектральная характеристика S=f(l), где l - длина волны пад. света
S
l
- температурный коэф. фотопотока (ТКФ)
ТКФ=(¶Iф/¶T) / Iф |Ф=const [1/град]
- обозначение
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 260; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |