Пробой p-n перехода. Виды пробоев

Пробой и резкое увеличение I_R вызвано резким увеличением неосновных носителей при разрыве ковалентных связей между атомами кремния. Причиной увеличения разрыва ковалентных связей и увеличения неосновных носителей являются следующие причины, по которым различаются виды пробоев:

1. Тепловой – разрывы ковалентных связей происходят под действием увеличения температуры p-n перехода током I_R.

2. Зенеровский (электростатический) – разрывы ковалентных связей и увеличение неосновных носителей происходит за счет электрического поля, создаваемого U_R.

3. Лавинный – разрывы ковалентных связей нарастают лавинно за счет удара по ним летящих электронов.

4. Поверхностный – за счет некачественной обработки кремниевой пластинки происходит перекрытие p-n перехода по поверхности.

Влияние температуры p-n перехода на ВАХ.

Так как при увеличении температуры p-n перехода увеличиваются разрывы ковалентных связей и растет число основных и неосновных носителей, то в проводящем направлении ВАХ смещается влево, т.е. при меньшем напряжении U_F будет больший ток I_F. В непроводящем направлении увеличение неосновных носителей приводит к уменьшению напряжения пробоя U_R и увеличению обратного тока I_R.

Таблица 1.1 – Условное графическое изображение полупроводниковых приборов

Раздел 2. Полупроводниковые приборы

Дата добавления: 2014-01-06