Конструктивное выполнение

Схема с ОЭ. Входные и выходные характеристики

Схема с ОБ. Входные и выходные характеристики

Входная и выходная характеристика снимается по схеме (рис. 4.2).

Рис. 4.5 − Входные (а) и выходные (б) статические характеристики транзистора в схеме с ОБ

Входная характеристика повторяет ВАХ диода в проводящем направлении, так как напряжение U_ЭБ приложено к эмиттерному переходу в проводящем направлении.

Характеристика, снятая при U_К = 0 (т.е. при отключенном К₂), называется основной. Если включить К₂ и увеличить напряжение до U_К1, а затем до U_К2, то характеристики смещаются влево, т.е. I_Э нарастает быстрее. Это объясняется тем, что часть напряжения U_К прикладывается к эмиттерному переходу пропорционально в проводящем направлении и тем самым помогает U_ЭБ.

Выходная характеристика повторяет ВАХ диода в непроводящем направлении, так как U_К прикладывается к коллекторному переходу в непроводящем направлении. Характеристика, снятая при I_Э=0, называется основной и снимается по рис. 4.2, а при отключенном ключе К.

С увеличением I_Э1, I_Э2, I_Э3 выходные характеристики перемещаются практически параллельно вверх.

На любой выходной характеристике можно выделить два участка: ОАВ и ВС.

На участке ОАВ напряжение U_ЭБ ≥ U_К, поэтому переход эмиттер – коллектор открытый, и ток I_К =f(U_K) нарастает быстро, повторяя ВАХ диода в проводящем направлении.

Незначительное увеличение тока коллектора I_К на участке ВС объясняется тем, что с увеличением напряжения U_К запирающий слой коллекторного перехода увеличивается, ширина базы сужается, ток базы I_Б уменьшается, следовательно, при I_Э = const ток коллектора растет.

При построении входной и выходной характеристик необходимо помнить, что

U_К ≈ десятки В, I_К ≈ (0,9÷0,99)I_Э.

	IБ=f(UЭБ) при UК=const.		IК=f(UК) при IБ=const.

Рис. 4.6 − Схема снятия входных и выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ

Для снятия статических характеристик транзистора в схеме с ОЭ собирается схема (рис. 4.6).

Потенциометр П1 служит для регулирования напряжения U_ЭБ, подаваемого на вход транзистора. Потенциометр П2 служит для регулирования напряжения U_К, подаваемого на выход транзистора.

Входная характеристика.

Входная характеристика, снятая при U_К = 0, называется основной и повторяет ВАХ диода в проводящем направлении, так как напряжение U_ЭБ приложено к эмиттерному переходу в проводящем направлении. Снимается при U_К = 0, т.е. при отключенном ключе К2, плавно изменяя U_ЭБ от 0 до максимума и измеряя ток базы I_Б.

Рассмотрим, как влияет U_К на входные характеристики, т.е. при включенном ключе К2 потенциометром П2 задается напряжение U_К. С увеличением напряжения U_К ширина запорного слоя коллекторного перехода увеличивается, область базы сужается и, следовательно, ток базы I_Б уменьшается, поэтому характеристики сдвигаются вправо.

Рис. 4.7 − Входные (а) и выходные (б) статические характеристики транзистора в схеме с ОЭ

Выходная характеристика.

Характеристика, снятая при токе I_Б = 0, называется основной и повторяет ВАХ диода в непроводящем направлении, так как напряжение Е_К (U_К) прикладывается к коллекторному переходу в непроводящем направлении.

С увеличением тока базы I_Б характеристики перемещаются параллельно вверх.

На выходных характеристиках можно выделить два участка: ОАВ и ВС.

На участке ОАВ U_ЭБ > U_К, поэтому оба перехода (эмиттерный и коллекторный) работают в проводящем направлении, и выходная характеристика повторяет форму входной характеристики в другом масштабе.

На участке ВС U_ЭБ < U_К, коллекторный переход закрывается, и выходная характеристика повторяет ВАХ диода в непроводящем направлении. Некоторое увеличение тока коллектора I_К на участке ВС при I_Б=const объясняется тем, что при сужении базы большая часть тока попадает в коллектор.

		Рис. 4.8 – Продольный разрез маломощного транзистора 1 – корпус; 2 – электрод коллектора; 3 – полупроводниковая пластина; 4 – кристаллодержатель; 5 – электрод эмиттера; 6 – выводы; 7 – изолятор

Раздел 5. Предельные и «h» – параметры транзисторов

Дата добавления: 2014-01-06