КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Выбор транзистора. Построение выходной и входной динамических характеристик
Для решения задачи необходимо знать для выходной цепи мощность PВЫХ, ток IВЫХ MAX и напряжение UВЫХ MAX. По этим данным выбирается транзистор из условия, что допустимые предельные параметры: PMAX > PВЫХ, IMAX > IВЫХ MAX, UK MAX > UВЫХ MAX. Для входной цепи задаются колебания тока IВХ MAX и его максимальное значение. Зная эти параметры, по методике, изложенной в разделе 6, строятся динамические входная и выходная характеристики для заданного транзистора и параметров.
Рис. 7.2 – Графический расчет усиления переменных колебаний
7.2.1 Методика решения и построения временной диаграммы тока и построения входной цепи iВХ, i′ВХ Допустим, что ток i′ВХ, который необходимо усилить, описывается следующим уравнением iВХ=IВХМSinΘ. Для того, чтобы iВХ усиливался без искажения, необходимо, чтобы его диаграмма располагалась на линейном участке входной динамической характеристики между точками а и е. Для достижения этого необходимо сместить исходную рабочую точку с так, чтобы при Θ=0 точка с находилась на середине участка ае. Это достигается подачей напряжения ЕСМ, подключаемого между эмиттером и базой (рис.7.1).
В этом случае результирующий ток i′ВХ, протекающий через базу транзистора (рис. 7.1), будет равен:
где IСМ=EСМ/RСМ – ток смещения, протекающий от (+) EСМ, через переход Э-Б, RСМ и к (–) EСМ. • Порядок решения: 1.На входной ДХ откладываем IСМ = IВХс и находим исходную рабочую точку с, которая соответствует Θ=0 и iВХ′ = IСМ. 2.Находим на ДХ точки а и е и соответствующие им токи IВХа, IВХе. 3.По рис. 7.2 из условия, что IВХс – IВХа= IВХ М и IВХе – IВХа= IВХ М определяем IВХ М. 4.По формуле (7.1) рассчитаем и построим временную диаграмму i'ВХ=f(Θ), изменяя 0 ≤ Θ ≤ 360°. Результаты оформить в виде таблицы 7.1.
При решении и построении временной диаграммы i′ВХ необходимо учесть закон изменения SinΘ.
Таблица 7.1 – Зависимость SinΘ=f(Θ) и значения параметров тока входа
Рис. 7.3 – Временные диаграммы тока iВХ, i'ВХ (а) и напряжения uВХ, u'ВХ (б) входа, тока iВЫХ, i'ВЫХ (в) и напряжения uВЫХ, u'ВЫХ (г) выхода усилителя
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 1001; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |