ВАХ тиристора. Рис. 11.3 – ВАХ тиристора при IG=0 и при IG>0

Рис. 11.3 – ВАХ тиристора при IG=0 и при IG>0

11.3.1 Работа тиристора в проводящем направлении при токе IG= 0

На участке ОА: при приложении напряжения U_А в проводящем направлении ток I_F будет мал (мА или мкА), так как переход j₂ закрыт. Однако с увеличением напряжения U_А дырки из области р₁ инжектируются (проталкиваются) в область n₁, в которой они являются неосновными носителями, и для них переход j₂ открыт. Аналогично под действием - U_А электроны из области n₂ инжектируются в р₂, где они также неосновные носители, и для них переход j₂ открыт. Таким образом, через переход j₂ будут перемещаться инжектированные неосновные носители, число которых будет увеличиваться с увеличением напряжения U_А. Следовательно, на участке ОА ток I_F растет, оставаясь незначительным, так как переход j₂ остается закрытым.

На участке АВ число неосновных носителей, проникших из p₁ в n₁ и из n₂ в p₂, становится велико, и начинается процесс компенсации запорного слоя j₂, который в точке В переходит в открытое состояние.

На участке ВС переход j₂ становится открытым, поэтому ток I_F резко возрастает до I_F = Е_А/R_A, а напряжение между А и К уменьшается до величины U_{ВО MIN}, равным падению напряжения на открытых переходах j₁, j₂, j₃.

На участке CD переходы j₁, j₂, j₃ открыты, и тиристор ведет себя как диод. ВАХ тиристора аналогична ВАХ диода. Напряжение U_{ВО MAX} – максимальное напряжение тиристора. При уменьшении тока I_F ВАХ перемещается по участку DC и как только I_F ≤ I_Н, то тиристор закрывается, так как компенсация в запорном слое нарушается.

I_Н – ток удержания;

I_L – ток включения;

I_D – ток утечки.

11.3.2 Работа тиристора в проводящем направлении при токе IG>0 и IG= IGT

При включении УЭ и подачи U_G в проводящем направлении электроны дополнительно инжектируются из n₂ в р₂, где они являются неосновными носителями и, следовательно, ток через переход j₂ возрастает, компенсация запорного слоя j₂ происходит при меньшем напряжении.

При токе IG= IGT, называемом отпирающим током управления, тиристор открывается при UBOMIN и ВАХ тиристора аналогично ВАХ диода.

Таким образом, изменяя IG≤ IGT, напряжение, при котором произойдет отключение будет лежать в пределах

UBO MIN ≤ UF≤ UBO MAX

≈1,5÷2,0 В до 5000÷6000 В

Дата добавления: 2014-01-06