Эта ВАХ не учитывает генерационно-рекомбинационных процессов в объеме и на поверхности, считая диод бесконечно длинным и тонким

Следовательно

I_д=I_M-I_m= I₀exp(qU_д/kT-1)

Зная изменение тока диода можно построить его вольт-амперную характеристику (ВАХ) для идеального случая:

В реальном диоде при увеличении обратного напряжения, в нем происходит генерация пар электрон – дырка, образуя ток генерации I_ген, причем при увеличении обратного напряжения увеличивается величина объемного заряда, следовательно количество генерируемых пар тоже увеличивается и возрастает обратный ток.

В реальном диоде так же на поверхности могут быть генерационно-рекомбинирующих процессы, нарушения кристаллической решетки, загрязнение, поэтому появляется ток утечки I_ут.

Отсюда обратный ток диода: I_обр=I₀+I_ген+I_ут

Если соблюдаются все нормы тех. процесса изготовления диодов, то I_обрI₀

Прямая ветвь так же отличается, т.к. здесь необходимо учитывать объемное сопротивление базы R_б при больших концентрациях неосновных носителей в базе. И тогда ток диода:

I=I₀exp((qU-I R_б)/kT-1))

Прямой ток так же зависит от температуры. При увеличении температуры увеличивается концентрация носителей в базе, проход их через p-n переход резко увеличивает ток.

Появление обратного тока называется пробоем. Он бывает двух видов: электрический и тепловой – приводящий к разрушению.

Электрический – лавинный используется в стабилитронах, тунельный в тунельных диодах.

Дата добавления: 2014-01-06