Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Эта ВАХ не учитывает генерационно-рекомбинационных процессов в объеме и на поверхности, считая диод бесконечно длинным и тонким

Следовательно

Iд=IM-Im= I0exp(qUд/kT-1)

 

Зная изменение тока диода можно построить его вольт-амперную характеристику (ВАХ) для идеального случая:

 
 


В реальном диоде при увеличении обратного напряжения, в нем происходит генерация пар электрон – дырка, образуя ток генерации Iген, причем при увеличении обратного напряжения увеличивается величина объемного заряда, следовательно количество генерируемых пар тоже увеличивается и возрастает обратный ток.

В реальном диоде так же на поверхности могут быть генерационно-рекомбинирующих процессы, нарушения кристаллической решетки, загрязнение, поэтому появляется ток утечки Iут.

Отсюда обратный ток диода: Iобр=I0+Iген+Iут

Если соблюдаются все нормы тех. процесса изготовления диодов, то IобрI0

 

Прямая ветвь так же отличается, т.к. здесь необходимо учитывать объемное сопротивление базы Rб при больших концентрациях неосновных носителей в базе. И тогда ток диода:

I=I0exp((qU-I Rб)/kT-1))

 

 

Прямой ток так же зависит от температуры. При увеличении температуры увеличивается концентрация носителей в базе, проход их через p-n переход резко увеличивает ток.

Появление обратного тока называется пробоем. Он бывает двух видов: электрический и тепловой – приводящий к разрушению.

Электрический – лавинный используется в стабилитронах, тунельный в тунельных диодах.

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
T – температура по Кельвину | Параметры диода
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 241; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.