Ждущий блокинг-генератор

Ждущий блокинг-генератор вырабатывает короткие прямоугольные импульсы только при подаче на его вход внешних запускающих импульсов. Схема ждущего блокинг-генератора приведена на рис. 4.1.19.

– Е _к Тр D R₃

С ₄

U _вых

Рис. 4.1.19. Схема ждущего блокинг-генератора  

С ₃ Т

U _вх

R ₁ C ₁ R ₂ C ₂

Ждущий режим блокинг-генератора обеспечивается путем запирания транзистора отрицательным напряжением, поданным на его эмиттер с резистора R ₂. Напряжение на резисторе R ₂ создается током, проходящим от источника питания через делитель напряжения, образованный резисторами R ₂ и R ₃.

Временные диаграммы, поясняющие работу ждущего блокинг-генератора, приведены на рис. 4.1.20.

Запускающий импульс отрицательной полярности, подаваемый на базу транзистора через конденсатор С ₃, открывает этот транзистор. Коллекторный ток транзистора, проходящий по первичной обмотке импульсного трансформатора, индуктирует э.д.с. во вторичной обмотке этого трансформатора. Полярность включения вторичной обмотки такова, что на ее выходе создается отрицательный потенциал, приложенный к базе транзистора.

t

U _вх

U _б

U ₀

t

t

– U _к

Рис. 4.1.20. Временные диаграммы ждущего блокинг-генератора

Под действием этого потенциала транзистор еще больше открывается, т. е. происходит лавинообразный процесс нарастания коллекторного тока. Во время открытого состояния транзистора происходит заряд конденсатора С ₁ током базы этого транзистора. По мере накопления заряда происходит увеличение положительного напряжения на конденсаторе относительно корпуса, которое компенсирует отрицательное напряжение на базе. В результате этого транзистор снова закрывается, конденсатор начинает разряжаться через резистор R₁, после чего напряжение на базе транзистора снова становится равным начальному напряжению смещения.

При спаде коллекторного тока в первичной обмотке импульсного трансформатора возникает э.д.с. самоиндукции, которая является причиной отрицательного выброса напряжения на коллекторе транзистора. Во избежание выхода из строя этого транзистора, параллельно первичной обмотке включен диод D, устраняющий действие э.д.с. самоиндукции.

Дата добавления: 2014-01-06