КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Принцип работы. Полупроводниковый диод представляет собой контактное соединение двух полупроводников с различными типами проводимости (рис
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
Полупроводниковый диод представляет собой контактное соединение двух полупроводников с различными типами проводимости (рис. 5.4.4). На этом рисунке электроны обозначены знаком, а “дырки” – знаком.
Рис. 5.4.4. Структура полупроводникового диода
Если к полупроводниковому диоду подключить источник питания таким образом, что положительный потенциал будет приложен к "р"- области, а отрицательный потенциал – к "n"-области (рис. 5.4.5), то свободные электроны, отталкиваясь отрицательным потенциалом источника питания, будут перемещаться к границе соединения полупроводниковых материалов ("р-n"- переходу). "Дырки", отталкиваясь положительным потенциалом источника питания, тоже будут перемещаются к "р-n"- переходу. Таким образом, подключение диода к источнику питания в прямом направлении увеличивает концентрацию как электронов, так и "дырок" в районе "р-n"- перехода, где и происходит их рекомбинация. При этом появляется значительный ток через переход. В указанном случае сопротивление перехода минимально:
Рис. 5.4.5. Подключение диода к источнику питания в прямом направлении
Если изменить полярность подключения источника питания к полупроводниковому диоду, приложив положительный, потенциал к "n"- области, а отрицательный потенциал – к "р"- области, то свободные электроны будут перемещаться в направлении от "р-n"- перехода к положительному полюсу источника питания, а "дырки – к отрицательному (рис. 5.4.6). Таким образом, в районе "р-n"- перехода создается запорный барьер с минимальным количеством носителей электрических зарядов. В этом случае ток через переход будет минимальным, а сопротивление перехода максимально:
Рис. 5.4.6. Подключение диода к источнику питания в обратном направлении
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 404; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |