КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Характеристики полевых транзисторов
Полевые транзисторы с изолированным затвором
Полевые транзисторы с изолированным затвором получили название "MOП- транзисторы" (по составу структуры ''металл-окисел-полупроводник"). В полевых транзисторах с МОП-структурой затвор отделен от канала тонким изолирующим слоем. Наличие изолирующего слоя значительно уменьшает ток затвора, причем указанный ток не зависит от полярности приложенного к затвору напряжения (в отличие от полевых транзисторов с "р-n" переходом). Тем не менее, изолирующий слой не препятствует проникновению поля в канал, ввиду малой толщины этого слоя. Каналы полевых транзисторов с МОП-структурой могут быть встроенными (обедненного типа) или индуцированными (обогащенного типа).
Свойства полевых транзисторов, так же, как и биполярных, определяются статическими вольтамперными характеристиками. Обычно используются два семейства статических характеристик: – переходные (сток-затворные) характеристики; – выходные (стоковые) характеристики. Переходные (сток-затворные) характеристики полевых транзисторов отражают зависимость тока стока от напряжения между затвором и истоком. Выходные (стоковые) характеристики отражают зависимость тока стока от напряжения на стоке при фиксированных значениях напряжения между затвором и истоком. На рис. 5.4.24 приведены сток-затворные характеристики полевых транзисторов с "p-n"-переходом, с встроенным каналом и с индуцированным каналом. с) I c I c I c
I cн – U пор U зи – U зи U зи – U зи 0
Рис. 5.4.24. Сток-затворные характеристики полевых транзисторов
a) с "p-n"-переходом b) с встроенным каналом c) с индуцированным каналом
Если между стоком и истоком полевого транзистора с встроенным каналом приложено питающее напряжение, то при нулевом напряжении на затворе по этому каналу протекает начальный ток стока I сн. Изменяя величину и полярность напряжения на затворе, можно управлять током в канале. У полевых транзисторов с индуцированным каналом при нулевом напряжении на затворе выходной ток (ток между истоком и стоком) отсутствует. Для обеспечения протекания тока в канале необходимо подать на затвор напряжение, величина которого выше порогового значения U пор, причем для транзисторов с " p "-каналом полярность напряжения, подаваемого на затвор, должна быть отрицательной, а для транзисторов с "n"-каналом – положительной. Выходные характеристики полевого транзистора приведены на рис. 5.4.25. I c U зи = 0
U зи = 0,4 в
U зи = 0,8 в
U зи = 1,2 в U си
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 269; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |