Распределение зарядов в базе биполярного транзистора
Эквивалентная схема ключа в режиме отсечки
Uвых = Uп - Iк0*Rк ~= Uп (Iк0 → 0)Uбэ = - Ег + Iк0*(Rб+Rг)Iк0.Т = Iк0*2(ΔT/T*), где ΔT — отклонение температуры от нормальной, Т* - температура удвоения (для кремния Т* = 8С).
Эпитаксия — технологический процесс, представляющий собой выращивание монокристаллического кремния на поверхности монокристаллической подложки термическим разложением органического вещества, в состав которого входит кремний. Пентахлорид кремния.
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление