Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Скорость дрейфа

Дрейф носителей заряда

Процессы переноса заряда в полупроводниках

 

Процесс переноса зарядов может наблюдаться в полупроводниках при наличии электронов в зоне проводимости

Перенос носителей зарядов может происходить либо под действием электрического поля (Дрейф), либо из-за неравномерности концентрации носителей заряда (Диффузия),

 

Дрейф - направленное движение носителей заряда под действием элект­рического поля.

Электроны получая ускорение в эл. поле, приобретают на длине свободного пробега 10-8 – 10-4 эВ. и переходят на более высокие э.у. При очередном соударении электрон отдает энергию решетке (фонону) и возвращается на один из низко лежащих энергетических уровня. Так можно представить процесс электропроводности.

*) длиной свободного пробега носителей заряда, определяется как среднее расстояние, проходимое носителем между двумя последователь­ными актами рассеяния.

 

Длина свободного пробега (lср), среднее время свободного пробега (tср) и средняя скорость теплового хаотического движения (Vтср), связаны соотношением

 

lср = Vтср tср (3.10)

 

[Vтср ~ 105 м/сек]

 

 

Vдр,ср = (q/m) E = mE (3.11)

 

q – заряд электрона;

m – масса электрона;

E – напряженность электрического поля

Коэффицент пропорциональности m называется подвижностью электронов,

т. е. подвижность - величина, чис­ленно равная средней скорости их направленного движения в электрическом поле с напряженностью, равной 1В/м.

 

п/п Ge Si GaAs SiC
mn2/в.с] 0.39 0.13   0.02-0.1
mp2/в.с] 0.19 0.05 0.04 5.10-4

 

Во всех практически используемых п/п при Т=300К подвижность падает с ростом поля, в сильных полях m ~1/E, т.е Vдрейф~ const~5.104 м/сек (Е~5кВ/см)

 

пример: U=1B; l=100нм (100 10-9м); тогда E= 10 кВ/см) [E=U/l]

Рис.3.6 Зависимость дрейфовой скорости от напряженности электрического поля

 

В результате дрейфа электронов в полупроводнике появляется электронная составляющая плотности дрейфового тока (А/м2), которую запишем на основании закона Ома:

Jn др = qnmnE (3.12)

 

q - заряд электрона. n –концентрация электронов в п/п.

 

Аналогично, дырочная составляющая плотности дрейфового тока

 

JP др = qpmPE (3.13)

 

Полная плотность дрейфового тока при наличии свободных электронов и дырок равна сумме электронной и дырочной со­ставляющих:

 

J др = qnmnE + qpmPE (3.14)

 

n, p – концентрации свободных носителей.

 

Закон Ома в дифференциальной форме:

плотность тока ~ напряженность эл. поля *удельную проводимость (s-коэффициент)

 

J = s E = (1/r) E (3.15)

 

Сравнивая (3.15) и (3.12, 3.13), тогда удельная проводимость

 

s = mnqn + mpqp (3.16)

 

Ток c плотностью J через площадку S равен

I = JS (3.17)

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Температурная зависимость концентрации носителей п/п | Диффузия носителей заряда
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 4180; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.