Образование электронно - дырочного перехода

Электронно - дырочный переход

Контактные явления в полупроводнике

Электронно - дырочный переход (p-n переход) - переходный слой между двумя областями п/п с разной электропроводимостью, в котором существует диффузионное электричское поле.

Электронно-дырочный или p-n-переход -область на границе двух по­лупроводников с различными типами электропроводности, т.е. p-n переход об­разуется между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет элек­тронную электропроводность, а другая дырочную электропроводность (рис. 4.4).

Пусть имеется пластина кремния (или германия). Од­на часть ее объема n-типа, содержит донорную примесь, т.е. обладает электрон­ной проводимостью, а другая р-типа, т.е. обладает дырочной проводимостью.

Поверхность, по которой кон­тактируют слои р и n, называется ме­талургической границей, а приле­гающая к ней область - р-п-переходом.

p-n переходы классифицируют по рез­кости металлургической границы и по соотношению удельных сопротивлений слоев:

Рис. 4.4 p-n переход (симметричный)

** ступенчатые переходы - переходы с идеальной границей, по одну сторону которой рас­полагаются доноры с постоянной кон­центрацией, а по другую - акцепторы с постоянной концентрацией;

** плавные переходы - переходы у которых в районе металлургической границы концен­трация одного типа примеси постепенно уменьшается, а другого типа - растет.

** p-n-переход называется симметричным, если концентрация р и п носителеи в соответствующих слоях одинакова.

Симметричные переходы не типичны для полупроводниковой техники. Главное распространение имеют несиммет­ричные переходы, у которых концентрации р и n носителей не одинаковы.

Дата добавления: 2014-01-06