Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

По электрическим характеристикам и областям применения

Бездрейфовый транзистор

По механизму переноса

В соответствии с механизмом переноса неосновных носителей через базу различают бездрейфовые транзисторы, в базе которых ускоряющее электрическое поле отсутствует и заряды переносятся от эмиттера к коллектору за счёт диффузии, и дрейфовые транзисторы, в которых действуют одновременно два механизма переноса зарядов в базе: их диффузия и дрейф в электрическом поле.

Бездрейфовый транзистор имеют во всем объеме базы одну и ту же концентрацию примеси. Вследствие этого в базе не возникает электрического поля, и носители в ней совершают диффузионное движение от эмиттера к коллектору.

Скорость такого движения меньше скорости дрейфа носителей в ускоряющем поле. Поэтому бездрейфовые транзисторы предназначены для более низких частот работы, нежели дрейфовые. Как правило, бездрейфовые транзисторы имеют сплавные переходы.

Дрейфовый транзистор

В дрейфовом транзисторе движение носителей заряда вызывается главным образом дрейфовым полем.

Это поле создаётся неравномерным распределением примесей в базовой области прибора. Оно ускоряет движение неосновных носителей заряда в базе к коллектору, повышая коэффициент усиления и предельную рабочую частоту.

 

При изготовлении дрейфовых транзисторов применяется метод диффузии, при котором база может быть сделана очень тонкой. Коллекторный переход получается плавным и его емкость гораздо меньше, чем у сплавных переходов.

 

Переходы дрейфового транзистора формируются методом диффузии, имеет несколько модификаций, по наименованию которых и различают типы дрейфовых транзисторов: диффузионно-сплавной, конверсионный, планарный, планарно-эпитаксиальный, мезапланарный.

 

Метод диффузии позволяет изготавливать транзисторы более точно, с меньшим разбросом параметров и характеристик.

 

Различают транзисторы:

- маломощный транзистор (например: малошумящие маломощные транзисторы используются во входных цепях радиоэлектронных усилительных устройств);

- мощный транзистор (например: генераторные транзисторы, используются в радиопередающих устройствах и УНЧ);

- ключевойтранзистор (используются в системах автоматического регулирования в качестве электронных ключей и цифровой технике);

- импульсный транзистор (в импульсных электронных системах), транзистор с малым временем задержки проходящего через него сигнала и малым сопротивлением в режиме насыщения. Предназначен для работы работы в импульсном режиме;

- конверсионный транзистор, германиевый транзистор, в технологии изготовления которого используется превращение (конверсия) исходного полупроводникового материала n-типа проводимости в р-тип введением меди и закалкой, применяется в высокочастотной и импульсной аппаратуре различного назначения;

- лав и нный транз и стор, транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора, применяется в генераторах коротких импульсов с крутым фронтом;

- oдноперехо́дный транзи́стор — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом, в схемах формирования импульсов;

- фототранзистор (в устройствах, преобразующих световые сигналы в электрические с одновременным усилением последних).

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Устройство и принцип действия биполярного транзистора | По конструктивному исполнению
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 371; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.