КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Компоненты ИМСТехнологический процесс При производстве полупроводниковых интегральных микросхем применяется фотолитография и литографическое оборудование.
Разрешающая способность этого оборудования (т.н. проектные нормы) и определяет название применяемого техпроцесса. Пример: Процессоры Intel (Core 2 Duo) делают по УФ-технологии 0,045 мкм; видеопроцессоры и flash-память фирмы Samsung - 0,040 мкм); Процессоры Intel Core i3 -i7- тех. процесс - 0,032 мкм.
Катушки индуктивности ИМС (thin film inductor)
Рис. 9.8 Тонкопленочная катушка индуктивности для гибридных ИМС
Наиболее трудновыполнимые элементы ИМС. Индуктивный эффект - отставание тока от напряжения по фазе. В качестве индуктивности могут использоваться искусственно созданные схемные элементы (гираторы), реализующие индуктивный эффект (например, транзисторы, работающие в таком режиме, при котором 1К отстает по фазе от напряжения UK на 90°). Реализуемые таким образом катушки имеют малую индуктивность (микрогенри) и добротность.
Применяются пленочные индуктивности в виде однослойной спирали на плоскости, часто из золота, т.к. оно обладает хорошей проводимостью (индуктивность мкГ/см). Т.к. изготовление тонкопленочных индуктивностей связано с трудностями, применяются главным образом дискретные навесные микрокатушки индуктивности. Резисторы ИМС (thin film resistor) Резисторы для полупроводниковых ИМС изготавливаются одновременно с созданием эмиттерной и базовой областей транзисторов методом локальной диффузии примеси в область базы или область эмиттера. Диапазон номиналов диффузионных резисторов лежит в пределах от 10 Ом до 50 кОм.
Пленочные резисторы для гибридных ИМС изготавливаются из материалов, обладающих высоким электрическим сопротивлением: хрома, тантала, металлокерамики и др. Для получения стабильных пленочных сопротивлений толщина пленки берется от 0,01 до 1 мкм.
Рис. 9.9 Тонкопленочные резисторы для гибридных ИМС
Очень тонкие пленки (0,005 мкм) значительно изменяют свои параметры в процессе изготовления и эксплуатации схемы. Кроме того, воздействие воздуха вызывает поверхностное окисление, которое приводит к изменению сопротивления. В более толстых пленках это окисление сказывается меньше. Однако пленки толщиной более 1 мкм не обеспечивают достаточно прочного сцепления с подложкой. Величина сопротивления определяется выражением
R =r.l / b.h (9.1)
где р - удельное сопротивление материала; b - ширина резистивного слоя [см]; h - толщина пленки; l –длинна пленки
Очевидно, что при одной и той же толщине резистивной пленки можно получать различные сопротивления, отличающиеся друг от друга в десятки раз. Для этого достаточно изменять отношение длины пленки к ее ширине. Диапазон номиналов пленочных резисторов лежит в пределах от 50 Ом до 10 Мом.
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 497; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |