(из книги Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники)
На подложку р-типа наращивается тонкий слой кремния n-типа.
В результате получается эпитаксиальная пленка n толщиной порядка 10-20 мкм. В эту пленку методом диффузии вводят акцепторную p примесь. Распределение примеси в такой тонкой пленке почти одинаково. Это позволяет получить очень четкий р-n переход.
Далее создаются методом локальной диффузии (поочередно) эмиттер и база
Рис.9.14Эпитаксиально - планарная технология производства биполярного транзистора
(а) – подложка с эпитаксиальным слоем и окисной пленкой для изолирующей диффузии;
(б) – изолирующая диффузия;
(в) – диффузия базы и эмиттера с последующей металлизацией.
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2025) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление