Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Биполярный плоский транзистор

Транзисторы

Газоразрядные диоды

Это диоды, наполненные разряженным благородным газом или парами ртути. В котором носители заряда электроны так и положительно заряженные ионы. Существуют газоразрядные лампы с холодным катодом (лампа тлеющего разряда), и лампы с накаливаемым катодом в цифровых индикаторах счетных устройств. Газотроны применяются в ионовых лампах. Обозначение диодов:

1. Зарубежные фирмы - ПФ: тип проводника А – гармоника, В – кремний; Вт: вид элемента – А – обычный диод; Z – стабилитрон, Е – туннельный, Р – фото, В – веракторный (варикап), Y – выпрямительный; тр: элемент, предназначенный для специальных устройств; цифровые обозначения характеризуют некоторые параметры либо очередной тип в производстве.

2. Отечественные. Первая буква – тип исходного материала: Г – германий, К – кремний, А – соединения галлия.

Вторая буква – обозначение подкласса прибора: Д –диоды выпрямительные, универсальные, импульсные; Ц – выпрямительные столбцы и блоки; А – сверхвысокочастотные диоды; В – варинат; И – тоннельные диоды, Л – лампоизлучающие.

Третья цифра, соответствующая назначению прибора.

Четвертая, пятая цифры – порядковый номер разработки технологического типа прибора.

Это полупроводниковый диод с тремя электродами, которые обладают свойством усиления электрического сигнала по принципу работы транзисторы делятся на: биполярные, униполярные (полевые), а по технологии изготовления на плоскостные (с p-n переходом) и точечные.

Биполярные, плоскостные могут быть дрейфовые, диффузионные, планарные, сплавные, мезо; с точки зрения используемого материала: германиевые, кремниевые, галлиевые. Транзистор – это активный элемент и в электронных схемах он заменяет электровакуумные приборы (электронные лампы). Преимущество транзистора перед электронными лампами – малые габариты, большой срок службы, большая надежность, высокая устойчивость к механическим ударам, отсутствие напряжения начала. Недостатки – ограниченная мощность, рабочее напряжение, большая чувствительность изменению температуры. Маленький диапазон рабочих температур. Малая стойкость к коротким замыканиям и искренениям.

Это транзистор, образуемый при соединении двух переходов, то есть состоящий из трех областей, либо p-n-p, либо n-p-n; в таком транзисторе существует в вида носителей: основные и не основные, поэтому он называется биполярным. Электроды транзистора: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К), причем эмиттер и коллектор имеют один тип проводимости, а база, разделенная эмиттером и коллектором, противоположную проводимость.

Для p-n-p транзистора

Разомкнем цепь эмиттера, а коллектор оставим под напряжением указанной полярности. Коллекторный переход находится под обратным напряжением, при этом через него протекает небольшой ток, обратный движением не основным носителей. Замкнем цепь эмиттера. Эмиттерный переход окажется под прямым напряжением, через него протекает ток, обратный диффузией дырок в базу и диффузией электронов в эмиттере. Также толщина базы невелика, то дырки пройдут через нее без рекомбинаций и диффундирует в область коллектора, где создадут небольшой коллекторный ток. Небольшая часть дырок, рекомбинировавших в базу и электроны, диффундирующие из базы в эмиттер, создают ток в базе. Таким образом, коллекторный ток определяется током эмиттера.

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Вакуумные диоды. Полупроводниковый фотодиод | Основные параметры транзистора
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 881; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.