Структура и принцип работы МОП транзистора

Полевой транзистор

Это транзистор, управляемый электрическим полем, в котором действует один лишь вид тока, а именно созданный основными носителями (или электронами или дырками). В биполярном действуют два вида носителей.

Полевые транзисторы называют канальными или униполярными.

Существует две группы:

1) Транзисторы с управляющим p-n переходом;

2) Транзисторы с изолированным затвором (МДП и МОП транзисторы)

По типу электропроводности транзисторы делятся на транзисторы с каналами p- и n-типа.

1 – Металлический контакт истока;

2 – металлический контакт стока;

3 – подложка с собственной проводимостью или проводимостью p-типа;

4 – изолирующий слой окисла;

5 – канал с зарядом электрона.

На подложке из полупроводника (p-типа) расположены две области с высокой концентрацией электронов (n-типа) называемые истоком и стоком и соединенные с металлическими контактами.

В центре части над подложкой находится изолирующий слой окисла, а над ним металлический слой 3-го электрода (затвор). В полупроводнике под затвором во время работы транзистора возникает канал, проводящий ток.

Принцип работы. При отсутствии напряжения на затворе, подводимое между истоком и стоком напряжение создает малый ток. При подведении к затворы положительного напряжения в диэлектрике подложки возникает электрическое поле, вытягивающее электроны из истока и стока и направляющие их в канал в сторону стока. Электроны свободно движутся вдоль каналов от истока к стоку образуя ток стока, зависящий от напряженности электрического поля – это и есть полевой эффект.

Дата добавления: 2014-01-06