Структура действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом

1 – исток; 2 – затвор p-типа; 3 – канал n-типа.

Канал n-типа охватывается кольцевой областью затвора p-типа. В результате между затворами и каналом образуется p-n переход. По обеим сторонам канала расположены стоки и истоки. Обычно транзистор работает с переходами, смещенные в обратном направлении, то есть напряжение затвора должно быть отрицательным относительно напряжения стока и напряжения истока. Основные носители обычно протекают от истока к стоку, потому что напряжение стока должно быть больше напряжения истока. В канале под затвором возникает запирающий слой p-n-перехода, уменьшающий ширину канала, то есть увеличивающий его сопротивление. Ток стока зависит от площади поперечного сечения канала, не занятый запирающим слоем ток стока уменьшается и в конце концов при напряжении на затворе, когда запирающий слой захватывает весь канал ток от истока к стоку прекращается. Такое напряжение называется напряжением отсечки.

Дата добавления: 2014-01-06