Многоэмиттерные транзисторы

К каждому эмиттеру подключается свой источник отпирающего импульса (например, на эмиттер 1 подан импульс отрицательного напряжения, то p-n -переход этого эмиттера отпирается и в транзисторе возникает коллекторный ток. Отрицательный потенциал с первого эмиттера подается на базу p -типа. А так как эмиттер 2, 3, 4 имеют нулевой потенциал, то на p-n переходах получается обратное сопротивление и импульс с первого эмиттера не будет попадать в цепи эмиттера 2, 3, 4, то есть эти цепи будут развязаны друг с другом.

В многоэмиттерном транзисторе, работающий эмиттер вместе с базой и другим соседним эмиттером образуют паразитный транзистор.

Чтобы уменьшить влияние последнего между эмиттерами делают расстояние не меньше 10 мкм.

Транзистор с барьером Шотки –

Это биполярный транзистор, у которого коллекторный переход шунтирован диодом Шотки.

Диод Шотки имеет контакт металла с полупроводником и обладает выпрямляющими свойствами.

Его достоинства:

Отсутствие диффузионной емкости. В этом транзиторе алюминиевая металлизация обеспечивает невыпрямляющий контакт с базы типа р, но создает выпрямляющий контакт с коллектором типа п.

Дата добавления: 2014-01-06