КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним ЭДП и двумя выводами, в котором используются свойства p-n-перехода. ВАХ любого прибора представляет собой зависимость между током, протекающим через прибор и приложенным напряжением. Если сопротивление прибора постоянно, то связь между током и напряжением выражается по закону Ома: . (3.1) График зависимости i=f(u) называется вольт-амперной характеристикой. Для прибора, подчиняющегося закону Ома, ВАХ линейна. Приборы, имеющие такую зависимость – линейны. Но существуют нелинейные приборы. ЭДП представляет собой диод. Его нелинейные свойства видны из его ВАХ (рис. 3.1).
Рис. 3.1. Вольт-амперная характеристика диода
Прямая и обратная ветви строятся в различных масштабах. Вследствие различного масштаба, в начале координат получился излом. Характеристика для прямого тока вначале имеет значительную нелинейность, так как при увеличении Uпр сопротивление запирающего слоя уменьшается, поэтому кривая идет с все большей крутизной. Но при Uпр в несколько десятых долей вольта (при достижении U0) запираемый слой практически исчезает и остается только сопротивление p-n-области, которое приблизительно можно считать постоянным. Поэтому далее характеристика становится почти линейной. Небольшая нелинейность объясняется тем, что при увеличении тока p- и n-области нагревается и от этого их сопротивление уменьшается. Обратный ток при увеличении обратного напряжения резко возрастает. Это вызвано резким уменьшением тока диффузии iдиф вследствие повышения потенциального барьера. iобр = iдр - iдиф, следовательно обратный ток увеличивается. Далее рост тока происходит незначительно за счет нагрева перехода током, за счет утечки по поверхности, а также за счет лавинного размножения зарядов, то есть увеличения числа носителей зарядов вследствие ударной ионизации. Это явление состоит в том, что при более высоком обратном напряжении электроны приобретают большую скорость, и ударяя в атомы кристаллической решетки, выбивают из них новые электроны и т.д. Такой процесс усиливается при увеличении обратного напряжения. ВАХ диода может быть использована для определения его основных параметров. По прямой ветви можно определить ∆Uпр при номинальном токе, по обратной ветви – Uмакс доп и обратный ток Iобр при этом напряжении.
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 652; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |