Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Распределение токов в структуре транзистора




На рис. 6.5 изображено распределение токов в структуре транзистора.

Рис. 6.5. Распределение токов в структуре транзистора

 

Наличие коллекторного перехода П2 (рис. 6.5), включенного в обратном направлении, обуславливает протекание обратного тока Iко (вследствие дрейфа не основных носителей заряда). Концентрация не основных носителей зависит от температуры, следовательно, и ток Iко зависит от температуры, поэтому этот ток называется тепловым

Iк = a×Iэ + Iко.

Принцип действия биполярного транзистора основан на создании транзитного (проходящего) потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и управлении коллекторным (выходным) током за счет изменения эмиттерного (входного) тока, следовательно, биполярный транзистор управляется током.

Сопротивление эмиттерного перехода Rэ составляет единицы-десятки Ом, поэтому в эту цепь обычно подается небольшое напряжение. Сопротивление коллекторного перехода Rк составляет сотни кОм – единицы МОм, поэтому в цепь коллектора подводят большое напряжение. В коллекторную цепь возможно включать большие внешние сопротивления. Таким образом, Rк>>Rэ.

Вследствие того, что изменение тока эмиттера происходит в цепи с малым сопротивлением, а почти равное ему изменение тока происходит в цепи коллектора, обладающего большим сопротивлением, то мощность, выделяемая на сопротивление Rк, значительно превышает мощность в цепи эмиттера. Следовательно, транзистор обладает свойством усилителя.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 281; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.