КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Вольтамперная характеристика p-n перехода
Вольтамперной характеристикой называется зависимость тока протекающего через какой-либо прибор от приложенного напряжения. Для p-n перехода она имеет вид, представленный на рис 1.15. Рис.1.15. Вольтамперная характеристика p-n перехода.
Масштабы прямой и обратной ветвей здесь существенно различны. Такая характеристика описывается приведенными ранее соотношениями. При , , а , поэтому Iпр будет много больше Iобр, а Iобр ≈ -Io. При наличии обратного напряжения носители как бы растаскиваются к краям полупроводниковых слоев, при этом увеличивается зона, обедненная свободными носителями, то есть расширяется область p-n перехода. Свойство p-n перехода обладать существенно разной проводимостью в прямом и обратном направлениях называется вентильным эффектом. Если p-n структуру подогреть, то при неизменных приложенных напряжениях прямой и обратный токи станут больше, чем до нагрева. Вольтамперная характеристика изменится, как это показано на рис. 1.16 штриховой линией. Увеличение прямого и обратного токов при фиксированных значениях напряжений объясняется ростом интенсивности генерации электронно-дырочных пар, то есть увеличением концентрации основных и неосновных носителей. Рис.1.16. Изменение вольтамперной характеристики p-n перехода при изменении температуры.
Вследствие этого обратный ток возрастает очень резко. Он удваивается при повышении температуры на каждые 10° у кремниевых p-n переходов и практически утраивается у германиевых. Прямой ток возрастает слабее, так как он в основном обусловлен примесной проводимостью и рост количества основных носителей при повышении температуры слабее сказывается на повышении их общего числа. При температурах выше или ниже критических оба полупроводника превращаются в собственные и разница между ними, а также различие между прямой и обратной ветвями вольтамперной характеристики исчезают.
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 409; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |