Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Фототранзисторы

 

Управление коллекторным током транзистора, может быть осуществлено не только при изменении соответствующих напряжений и тока базы, но и путем освещения ее области. Транзистор, для которого предусмотрен такой режим работы, называется фототранзистором. В отсутствие освещенности его вольтамперные характеристики идут обычным образом.

Под воздействием светового потока в области базы станут генерироваться электронно-дырочные пары. Полем запертого коллекторного перехода электроны (для n-p-n транзистора) начнут втягиваться в область коллектора, увеличивая его ток. Данная ситуация аналогична возникающей при работе фотодиода в режиме обратного смещения.

Дырки, возникшие при освещении фототранзистора n-p-n типа, останутся в базе, увеличивая ее потенциал, что приведет к усилению инжекции электронов из эмиттера. Дополнительные электроны, достигнув коллекторного перехода, втянутся его полем и дадут дополнительное приращение коллекторного тока.

Полный коллекторный ток фототранзистора описывается соотношением: , где – начальный ток коллектора, – фототок коллекторного перехода, величина которого зависит от внешней освещенности. Из данного соотношения следует, что коллекторным током фототранзистора можно управлять как по цепи базы, так и изменяя величину светового потока. В любом случае, при освещении вольтамперные характеристики пойдут выше соответствующих ВАХ, снятых для транзистора в темноте, как показано на рис. 6.7 штриховыми линиями. Чувствительность к воздействию освещенности у фототранзистора транзистора примерно в раз больше чувствительности фотодиода.

Фототранзистор может быть представлен в виде эквивалентной схемы, состоящей из обычного транзистора и фотодиода, включенного между его коллектором и базой, как показано на рис. 6.7.

Рис. 6.7. Вольтамперные характеристики, обозначение и эквивалентное представление биполярного n-p-n фототранзистора.

 

Если не требуется комбинированное управление током коллектора, то фототранзистор может не иметь базового вывода или он может быть никуда не подключен. При таком режиме работы, который называется режимом с «оторванной» или свободной базой, фототранзистор обладает не только максимальной чувствительностью, но и максимальной нестабильностью параметров. Вывод базы может быть соединен с эмиттерным контактом через резистор, от величины которого будет зависеть фоточувствительность.

Обычный транзистор и диод могут быть превращены в фоточувствительные приборы, вскрытием их корпусов для доступа света к кристаллу.

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Параметры фотодиодов | Фототиристоры
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 658; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.