Ширина обедненных областей и ширина области пространственного заряда
Область пространственного заряда (ОПЗ) образуется за счет ухода основных носителей заряда через переход во время диффузии. В результате в каждом из полупроводников вблизи перехода образуется область, обедненная носителями заряда. Ширина обедненной области определяется выражением
, ,
где – диэлектрическая проницаемость полупроводника (для GaAs ), – напряжение, приложенное к p-n -переходу.
В отсутствие внешнего напряжения обедненные области будут равны
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление