ГЛОССАРИЙ. Автоэлектронная эмиссия - выход электронов из металла или полупроводника под действием сильного внешнего электрического поля

Автоэлектронная эмиссия - выход электронов из металла или полупроводника под действием сильного внешнего электрического поля.

Активное сопротивление - сопротивление электрической цепи или ее участка, обусловленное необратимыми превращениями электрической энергии в другие виды энергии (в тепловую энергию).

Акцептор От лат.Acceptor - принимающий - в физике - дефект кристаллической решетки полупроводника, в виде примесного атома, который может захватывать электроны из валентной зоны у доноров, образуя при этом дырки, участвующие в электропроводности.

Акцепторные примеси - атомы химических элементов, внедренные в кристаллическую решетку полупроводника и создающие дополнительную концентрацию дырок. Акцепторными примесями являются химические элементы, внедренные в полупроводник с большей, чем у примеси, валентностью.

Ампер (A) - сила не изменяющегося тока, который при прохождении по каждому из двух параллельных прямолинейных проводников бесконечной длины и ничтожно малой площади кругового поперечного сечения, расположенных в вакууме на расстоянии 1 м один от другого, вызывает на каждом участке проводника длиной 1 м силу взаимодействия, равную 0.000'000'020 H.

Анизотропия От греч.Anisos - неравный + Tropos - направление Анизотропия - в физике - зависимость электропроводности, теплопроводности, показателя преломления света и других физических свойств кристалла от выбранного в нем направления.

Атом Atom От греч.Atomos - неделимый - наименьшая частица химического элемента, носитель его свойств. Атом состоит из положительно заряженного ядра и из отрицательно заряженных электронов. Атом электрически нейтрален, электрический заряд его ядра равен абсолютной величине суммарного заряда всех его электронов. Атом может соединяться с другими атомами химическим путем.

Атомное ядро Atomic nucleus - положительно заряженная центральная часть атома, имеющая объем, в котором сосредоточена основная его масса. Атомное ядро состоит из протонов и нейтронов. Число протонов определяет заряд атомного ядра.

Атомный кристалл - кристалл, в узлах кристаллической решетки которого находятся электрически нейтральные атомы, между которыми осуществляется ковалентная связь, имеющая квантовомеханическое происхождение.

Атомный номер - порядковый номер химического элемента в периодической таблице элементов Д.И.Менделеева. Атомный номер равен числу протонов в атомном ядре.

Белый шум - стационарный шум, спектральные составляющие которого равномерно распределены по всему диапазону задействованных частот.

Бескорпусная интегральная схема Bare integrated circuit - интегральная схема без защитной оболочки. Применение бескорпусных интегральных схем позволяет создавать собственные многомикросхемные комплексы, которые собирают из серийных компонентов и затем помещают в защитную оболочку.

Большая интегральная схема (БИС) Large scale integration (LSI) - интегральная схема, содержащая 100 тысяч и более простых логических вентилей в одном кристалле.

Вакансия - в кристаллах - отсутствие атома или иона в узле кристаллической решетки. Вакансии находятся в термодинамическом равновесии с кристаллической решеткой, они возникают и исчезают в результате теплового движения атомов.

Валентность - свойство атомов, выражающее их способность к образованию химической связи. Химическая связь образуется за счет электронов, которые атом может потерять, отдавая другим атомам (окисляясь); или электронов, которые атом принимает (восстанавливаясь).

Вариконд - генератор, в котором в качестве диэлектрика используется керамический сегнетоэлектрик, обладающий очень большой диэлектрической проницаемостью, что обеспечивает малогабаритность конденсатора. Емкость вариконда зависит от величины управляющего напряжения.

Варистор - резистор, сопротивление которого зависит от приложенного к нему напряжения. Варисторы используются в цепях, где необходимо ограничить напряжение на некоторых элементах. Варисторы изготавливаются из порошкообразного карбида кремния, смешанного со связующим веществом. Смесь спрессовывают и спекают при высокой температуре.

Вентильный фотоэффект - возбуждение светом электродвижущей силы на границе между металлом и полупроводником или между разнородными полупроводниками.

Внешний фотоэффект, Фотоэлектронная эмиссия - испускание электронов из вещества под действием электромагнитного излучения. Внешний фотоэффект наблюдается в металлах, полупроводниках и диэлектриках и подчиняется законам фотоэффекта.

Внутренний фотоэффект, Фотопроводимость - увеличение электропроводности полупроводников или диэлектриков под действием света. Причиной фотопроводимости является увеличение концентрации носителей заряда (электронов) в зоне проводимости и дырок в валентной зоне.

Дальний порядок - упорядоченное расположение атомов или молекул во всем объеме тела. Дальний порядок характерен для кристаллических веществ.

Дефект кристаллической решетки - отклонение кристаллической решетки от ее идеального периодического строения. Дефекты оказывают существенное влияние на физические свойства кристаллов. Различают: точечные дефекты (вакансии); линейные дефекты (дислокации); и объемные дефекты: трещины, поры, раковины и т.д.

Диод - двухэлектродный электровакуумный, полупроводниковый или газоразрядный прибор с резко выраженной односторонней проводимость электрического тока. Диод хорошо пропускает через себя ток в одном направлении и очень плохо - в другом направлении. Диоды применяются в электро- и радиоаппаратуре для выпрямления переменного тока, детектирования, преобразования частоты, переключения электрических цепей.

Дислокация - в кристаллах - линейный дефект кристаллической решетки, представляющий собой нарушение правильного чередования атомных плоскостей.

Диэлектрик, Электрический изолятор; Непроводник Dielectric фр.Dielectrique; нем.Dielektrikum От греч.Dia - через + англ.Electric - электрический. Диэлектрик - вещество, обладающее низкой удельной электрической проводимостью. Диэлектрики практически не проводят электрический ток; способны поляризоваться в электрическом поле; подразделяются на пьезоэлектрики, сегнетоэлектрики, электреты и др.

Диэлектрическая проницаемость, Относительная диэлектрическая проницаемость Permittivity; Relative permittivity фр.Permittivite; фр.Permittivite relatif; нем.Dielektrizitatskonstante; нем.Relative dielektrizitatskonstante. Диэлектрическая проницаемость - физическая величина, показывающая во сколько раз напряженность электрического поля внутри однородного диэлектрика меньше напряженности поля в вакууме.

Донор - в физике полупроводников - дефект кристаллической решетки полупроводника, способный отдавать электроны в зону проводимости. Доноры в полупроводниковом кристалле могут быть обусловлены примесью или дислокациями.

Донорные примеси - атомы химических элементов: - внедренные в кристаллическую решетку полупроводника и создающие дополнительную концентрацию свободных электронов. Донорными примесями являются химические элементы, внедренные в полупроводник с меньшей, чем у примеси, валентностью.

Дырка проводимости, Дырка Hole of conduction; Hole фр.Trou de conductivite; фр.Trou; нем.LeitungsDefektelektron; нем.Loch. Дырка проводимости - незаполненная валентная связь, которая проявляет себя как положительный заряд в полупроводниках, численно равный заряду электрона; или как ионная вакансия обоих знаков в кристаллических диэлектриках, адекватная заряду соответствующего иона с обратным знаком. Дырки рассматриваются как квазичастицы, определяющие совместно с электронами проводимости динамические свойства электронной системы.

Дырочная электропроводность, Электропроводность p-типа; Hole conduction фр.Conductibilite par trous; нем.Defektelektronenleitung. Дырочная электропроводность - электропроводность полупроводника или кристаллического диэлектрика, обусловленная перемещением электронных или ионных дырок проводимости под действием внешнего электрического поля. Дырочная проводимость вызвана движением связанных электронов, которые переходят от одного атома к другому, поочередно замещая друг друга, что порождает "движение" дырок в противоположном направлении.

Дырочно-электронный переход, p-n переход - область контакта двух полупроводников с различным типом проводимости, а также полупроводника и металла. Вблизи контакта происходит взаимная диффузия носителей зарядов, которая приводит к образованию запирающего электрического слоя. Электрическое поле этого слоя препятствует дальнейшей диффузии носителей зарядов. Если полупроводник n-типа соединен с положительным полюсом источником тока, а полупроводник p-типа - с отрицательным полюсом, то ширина запирающего слоя увеличивается и сопротивление p-n перехода возрастает. При обратном подключении источника тока ширина запирающего слоя и сопротивление p-n перехода уменьшается.

Емкостное сопротивление, Емкостное электрическое сопротивление Electric capasitive reactance фр.Reactance capacitive electrique; нем.Elektrische kapazitiver Blindwiderstand - физическая величина, характеризующая сопротивление, оказываемое переменному току участком электрической цепи, включающем только электрическую емкость.

Заряженные частицы, Электрически заряженные частицы; Носители тока - положительно или отрицательно заряженные частицы вещества, не связанные в единую электрически нейтральную систему. В металлах свободными заряженными частицами (носителями тока) являются электроны проводимости, в электролитах - ионы, в полупроводниках - электроны и дырки.

Интегральная схема, Микросхема; Чип Integrated circuit; Chip - микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, предназначенное для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и/или на поверхности материала, на основе которого изготовлено изделие. По количеству элементов интегральные схемы условно подразделяются: на малые, содержащие до 100 элементов в кристалле; на средние - до 1 000; - на большие - до 10 000; - на сверхбольшие - до 1 000 000; - на ультрабольшие - до 1 000 000 000; и - на гигабольшие - более 1 000 000 000.

Ион От греч.Ion - идущий - электрически заряженная частица, образующаяся в результате потери электронов атомами или молекулами. Заряд иона кратен заряду электрона.

Ионная электропроводность Ionic conduction фр.Conductibilite ionique; нем.Ionenleitfahigkeit Ионная электропроводность - электропроводность, обусловленная упорядоченным передвижением в веществе ионов. Ионная электропроводность характерна для электролитов.

Ионный кристалл - кристалл, в узлах кристаллической решетки которого размещаются правильно чередующиеся положительные и отрицательные ионы, между которыми действуют силы электростатического взаимодействия, осуществляющие ионную связь.

Каналирование частиц - движение частиц, попавших в кристалл, вдоль "каналов", образованных параллельными рядами атомов.

Кандела (кд) - единица силы света; основная единица системы СИ. Кандела равна силе света в заданном направлении источника с точно установленными параметрами.

Квазистационарный ток - относительно медленно меняющийся электрический ток, который в любой момент времени имеет одну и ту же силу во всех сечениях неразветвленной цепи.

Кельвин (K) От У.Томсон, лорд Кельвин - английский физик; 1824-1907 Кельвин - 1/273.15 часть термодинамической температуры тройной точки воды; одна из семи основных единиц СИ.

Килограмм (кг) - единица массы; одна из семи основных единиц СИ. Один килограмм равен массе международного прототипа килограмма, который хранится в Международном бюро мер и весов.

Колебания - повторяющийся процесс изменения с течением времени значения физической величины около ее среднего значения. Колебания характеризуются амплитудой, периодом, частотой и фазой. Различают непериодические, периодические и гармонические колебания. В зависимости от физической природы различают механические, электромагнитные и другие колебания.

Коллектор - область транзистора, принимающая носители заряда из базы.

Конвекционный ток, Электрический ток переноса Convection electric current фр.Courant electrique de convection; нем.Elektrischer Konvektionsstrom - упорядоченное движение микроскопического электрически заряженного тела как целого.

Красная граница фотоэффекта - наименьшая частота излучения, при которой еще возможен внешний фотоэффект. Красная граница фотоэффекта определяется выбором материалов фотокатодов.

Кристалл От греч.Krystallos - лед - твердое тело, состоящее из упорядоченных, периодически повторяющихся в пространстве частиц. Обычно кристаллы образуются и растут из раствора или расплава. По характеру симметрии различают 32 класса кристаллов, сгруппированных в 7 сигоний.

Кристаллизация - образование кристаллов из паров, растворов, расплавов в специальных установках или при химических реакциях. Кристаллизация происходит при температуре, совпадающей с температурой плавления.

Кристаллическая решетка - пространственная структура, которую формируют частицы, образующие кристаллы. Основу кристаллической решетки составляет элементарная решетка определенной геометрической формы, в вершинах (узлах) которой расположены атомы, молекулы или ионы.

Кулонвольтная характеристика Coulombvolt charakteristic фр.Caracteristique coulombvolt; нем.CoulombVoltskennlinie - зависимость заряда конденсатора от приложенного к нему напряжения.

Люкс (лк) - в СИ - единица освещенности, создаваемая световым потоком 1 лм, равномерно распределенной по поверхности площадью 1 кв.м.

Люмен (лм) - в СИ - единица измерения светового потока. Люмен равен световому потоку, испускаемому точечным источником света 1 кд в телесном угле, равном 1 ср.

Магнитное действие электрического тока - способность электрического тока, проходящего по проводникам второго рода, порождать вокруг этих проводов магнитное поле.

Масса атома - масса одного атома элемента, равная произведению атомной единицы массы на относительную атомную массу вещества.

Международная система единиц (СИ) - универсальная система единиц физических величин для всех отраслей науки, техники, хозяйства и системы обучения, включающая: - семь основных единиц: метр, килограмм, секунда, ампер, кельвин, кандела и моль; - две дополнительных единицы: радиан и стерадиан; и - ряд производных единиц: фарад, джоуль, вольт и др. Международная система единиц принята XI Генеральной конференцией по мерам и весам.

Мера электрического сопротивления - мера воспроизводящая с определенной точностью единицу электрического сопротивления или ее кратное/дольное значение и представляющая собой резистор, выполненный в виде проволочной намотки, элемента из фольги или напыленного на подложку проводящего слоя из материалов, отвечающих определенным требованиям.

Металл-диэлектрик-полупроводник-структура (МДП-структура) - структура материала, используемого при создании электронных приборов, представляющая собой упорядоченную совокупность очень тонких слоев металла и диэлектрика, нанесенных на полупроводниковую пластину.

Металлический кристалл - кристалл, в узлах кристаллической решетки которого находятся положительные ионы, а отцепленные от атомов электроны принадлежат всему кристаллу, образуя электронный газ.

Металл-оксид-полупроводник-структура (МОП-структура) - МДП-структура, в которой в качестве диэлектрика используются оксид алюминия, диоксид кремния и другие оксиды.

Метр (м) фр.Metre От греч.Metron - мера - единица длины; одна из семи основных единиц СИ. С 1983 года метр равен расстоянию, которое проходит в вакууме свет за 1/299792458 доли секунды.

Метрическая система мер - совокупность единиц физических величин, в основу которой положены две единицы: метр и килограмм. Кратные и дольные единицы находятся в десятичных соотношениях. Метрическая система мер разработана во Франции в 18 веке; размерность, наименования и определения других единиц метрической системы выбраны так, чтобы система не носила национального характера.

Микроэлектроника - область электроники, изучающая проблему создания электронных устройств в миниатюрном исполнении. В микроэлектронике используются свойства полупроводников, связанных электрически, конструктивно и технологически.

Молекулярный кристалл - кристалл, в узлах кристаллической решетки которого находятся молекулы.

Монокристалл - твердое тело, состоящее из единственного кристалла с единой кристаллической решеткой. Монокристаллы образуются в природных условиях или искусственно выращиваются из расплавов, растворов, парообразной или твердой фазы.

Неосновные носители заряда - в полупроводниках - носители заряда, концентрация которых не определяет тип проводимости. Обычно концентрация неосновных носителей зарядов намного меньше концентрации основных носителей. В полупроводниках n-типа неосновными носителями заряда являются дырки. В полупроводниках p-типа неосновными носителями заряда являются электроны.

Нестационарный шум - шум длящийся короткие промежутки времени, меньшие, чем время усреднения в измерителях. Нестационарными шумами являются: шум проходящего транспорта, отдельные стуки, редкие импульсные помехи в радиотехнике и т.п.

Ом - единица электрического сопротивления в СИ. 1 Ом = электрическое сопротивление участка электрической цепи, на котором при силе постоянного тока в 1А возникает напряжение 1В. 1 Ом = 1 B/A.

Основные носители заряда - в полупроводниках - носители заряда, концентрация которых определяет тип проводимости. В полупроводниках n-типа основными носителями заряда являются электроны. В полупроводниках p-типа основными носителями заряда являются дырки.

Относительная атомная масса, Атомная масса - масса атома, выраженная в атомных единицах массы. Относительная атомная масса - отношение массы атома вещества к 1/12 массы атома углерода-12 (изотопа углерода с массовым числом 12).

Параллельное соединение проводников - соединение, в котором - начала проводников соединены вместе и - концы проводников соединены вместе. При параллельном соединении проводников: - сила тока, протекающего в неразветвленной части цепи, равна сумме сил токов, протекающих по каждому из проводников; - напряжение на каждом из проводников одинаковы. - общая проводимость соединения равна сумме проводимостей каждого из проводников.

Переменный электрический ток Variable electric current фр.Courant variable electrique; нем.Veranderlicher Elektrischer Strom. Переменный электрический ток - электрический ток, периодически изменяющий свое направление в цепи так, что среднее значение силы тока за период равно нулю.

Период кристаллической решетки - длина ребра элементарной ячейки кристаллической решетки.

Плазма От греч.Plasma - газообразная смесь положительно и отрицательно заряженных частиц в таких пропорциях, что их общий заряд равен нулю. Электроны и ионы плазмы могут переносить электрический заряд.

Пленочная технология - технология изготовления пассивных электро- и радиоэлементов и соединительных проводников на диэлектрической подложке методом нанесения на подложку слоев электропроводящих, резистивных и диэлектрических паст; или вакуумного напыления (осаждением) пленок с последующим травлением, вжиганием, фотолитографической или иной обработкой. Пленочная технология применяется при изготовлении печатных схем, пленочных и других интегральных схем.

Плоскостной электронно-дырочный переход - электронно-дырочный переход в монокристалле полупроводника полученный либо путем введения в проводник примесей и последующей специальной термической обработки, либо в результате разделения примесей во время кристаллизации.

Плотность электрического тока - сила тока, приходящаяся на 1 кв. м площади поперечного сечения проводника при условии, что ток направлен перпендикулярно этому сечению и равномерно по нему распределен.

Поликристалл, Поликристалическое тело - твердое тело, состоящее из большого числа хаотически ориентированных кристаллов. Большинство тел, встречающихся в природе и получаемых искусственно являются поликристаллами.

Полупроводник n-типа - полупроводник с донорной примесью.

Полупроводник p-типа - полупроводник с акцепторной примесью.

Полупроводники - вещества, удельная электрическая проводимость которых меньше, чем у металлов и больше, чем у диэлектриков. Электропроводность полупроводников обеспечивается свободными электронами и дырками, остается постоянной в пределах области температур, специфической для каждого вида полупроводников, и увеличивается с повышением температуры, зависит от примесей, увеличивается под действием света и с возрастанием напряженности электрического поля.

Полупроводниковый диод - радиотехническое устройство, содержащее один электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод обладает свойством односторонней проводимости и используется для выпрямления переменного тока. Полупроводниковый диод работает в интервале температур от -70 град. C до +120 град. C.

Полупроводниковый лазер - лазер созданный на основе (многослойного) полупроводникового материала. Обычно излучение полупроводниковых лазеров монохромно. Светоизлучающая область полупроводниковых лазеров формируется выращиванием тонких кристаллических слоев галлия, индия и фосфора.

Поляризация диэлектрика, Диэлектрическая поляризация Dielectric polarization фр.Polarisation dielectrique; нем.Dielektrische Polarisation - смещение положительных и отрицательных связанных зарядов в макрообъеме диэлектрика в противоположные стороны, что приводит к появлению поверхностных связанных зарядов.

Поляризованность Polarization фр.Polarisation - векторная величина: - характеризующая степень электрической поляризации вещества; - измеряемая отношением электрического момента малого объема вещества к этому объему.

Помехи - в технике - область явлений препятствующих нормальной работе технических средств и вызывающих отклонения параметров их работы. Помехи различают по физическим полям: электрические, магнитные, акустические, гравитационные и вибрационные; по источнику возникновения: искусственные и естественные; по среде распространения: космические, атмосферные, гидрофизические, сейсмические; по диапазонам частот и другим признакам.

Последовательное соединение проводников - соединение проводников без разветвлений, когда конец одного проводника соединен с началом другого проводника. При последовательном соединении проводников сила тока, протекающего через каждый проводник, одинакова, общее напряжение равно сумме напряжений на отдельных участках цепи, общее сопротивление цепи равно сумме сопротивлений отдельных участков.

Постоянный электрический ток Direct electric current фр.Courant electrique continu; нем.Elektrischer Gleichstrom - электрический ток, не изменяющийся с течением времени по силе и направлению.

Примесная электропроводность, Примесная проводимость - электропроводность, обусловленная ведением дополнительных носителей заряда в кристалл. В зависимости от вида примесей получают материал либо с электронной проводимостью, либо с дырочной проводимостью.

Проводник, Электрический проводник Conductor фр.Conducteur; нем.Leiter - вещество, обладающее высокой удельной проводимостью. Различают проводники 1 рода, в которых носителями заряда являются свободные электроны (металлы) и проводники 2 рода, в которых заряды переносятся ионами (электролиты).

Протон Proton От греч.Protos - первый Протон - входящая в состав ядерных ядер устойчивая элементарная частица с положительным электрическим зарядом, со спином ½, с массой покоя, равной 1836 массам электрона, имеющая античастицу (антипротон).

Прямой пьезоэлектрический эффект - образование электростатических зарядов на поверхности диэлектрика при его деформации.

Пьезоэлектрики - диэлектрики, в которых наблюдаются пьезоэлектрические эффекты.

Пьезоэлектричество - возникновение электрических зарядов при деформации кристаллов (прямой эффект) и деформация кристаллов под действием электрического поля (обратный эффект). Пьезоэлектричество применяется для воспроизведения звука, для получения ультразвука и т.д.

Работа выхода электрона - наименьшая работа, которую нужно совершить для извлечения электрона, несвязанного с атомом, из поверхности вещества в вакууме. Каждое вещество характеризуется своей работой выхода. Единицами измерения работы выхода являются джоуль или электронвольт.

Радиан (рад) - плоский угол, равный центральному углу, опирающемуся на дугу, длина которой равна радиусу. 1 рад ≈ 57.3 угловых градусов.

Радиоэлектронные шумы - случайные колебания токов и напряжений в радиоэлектронных устройствах. Такие шумы ограничивают чувствительность радиоприемной аппаратуры.

Реактивное сопротивление - электрическое сопротивление, обусловленное передачей энергии электрическому или магнитному полю (и обратно).

Резистор Resistor фр.Resistance; нем.Widerstand От лат.Resisto - сопротивляюсь - элемент электрической цепи, основное функциональное назначение которого состоит в том, чтобы оказывать сопротивление электрическому току с целью регулирования в цепи силы тока и напряжения.

Рекомбинация - взаимодействие заряженных частиц противоположного знака, приводящее к образованию нейтральных атомов или молекул. При рекомбинации заряженных частиц выделяется энергия в виде электромагнитного излучения.

Реле - элемент автоматики, в котором воздействие механических, тепловых, оптических и иных физических величин вызывает скачкообразное изменение физических величин в управляемой цепи.

Реостат - устройство для регулирования тока и напряжения в электрической цепи путем изменения ее сопротивления.

Светоизлучающий диод (Светодиод) Light-Emitting Diode (LED) - интегральная схема, преобразующая электрический ток в свет. Основу светодиода, составляет полупроводник с p-n переходом, в котором при прохождении электрического тока возникает электромагнитное излучение с узкой полосой частот.

Сегнетоэлектрики - кристаллические диэлектрики, у которых диэлектрическая проницаемость есть величина переменная, зависящая от приложенного к кристаллу напряжения. Специфические свойства сегнетоэлектриков проявляются только в определенном температурном интервале.

Секунда (с) - единица времени в СИ. 1 с = 9'192'631'770 периодам излучения, соответствующего переходу между двумя сверхтонкими уровнями основного состояния атома цезия-133.

Сила электрического тока, Сила тока - физическая величина, равная отношению заряда, который переносится через поперечное сечение проводника за определенное время, к этому времени. Сила электрического тока измеряется в амперах.

Сименс на метр (См/м) - единица удельной электропроводимости. 1 См/м = электрическая проводимость 1 См цилиндрического прямолинейного проводника с площадью поперечного сечения 1 кв. м и длиной 1 м.

Симметрия кристаллов - закономерность атомного строения, внешней формы и физических свойств кристаллов, заключающаяся в том, что кристалл может быть совмещен с самим собой путем поворотов, отражений, параллельных переносов (трансляций) и других преобразований симметрии, а также комбинаций этих преобразований.

Система единиц физических величин System of unit of measurement фр.Systeme d'unites de mesure - совокупность основных и производных единиц физических величин, образованная в соответствии с принятыми принципами для заданной системы физических величин.

Скорость распространения электрического тока в проводнике - скорость, с которой распространяется действие электрического тока на заряды в проводнике. Поле со скоростью, близкой к скорости света, увлекает заряженные частицы в упорядоченное и сравнительно медленное движение.

Собственная проводимость, Электронно-дырочная проводимость - электрическая проводимость, вызванная движением свободных носителей заряда (электронов и дырок), образующихся при разрыве ковалентных связей.

Стабилизатор - устройство для автоматического поддержания заданного значения параметров в определенных пределах при изменяющихся внешних воздействиях.

Стационарный шум - шум, характеризующийся постоянством средних параметров: - интенсивности; - спектральной плотности; - автокорреляционной функции.

Стерадиан (ср) - телесный угол с вершиной в центре сферы, вырезающей на поверхности сферы площадь, равную площади квадрата со стороной, равной радиусу сферы. 1 ср ≈ 0.079'600 полного телесного угла.

Сублимация, Возгонка - в физике - фазовый переход первого рода; испарение кристаллических тел, минуя жидкую фазу. Скорость сублимации зависит от температуры и химической природы вещества и характеризуется удельной теплотой испарения. По своим свойствам все твердые тела делятся на упругие, пластичные и хрупкие.

Температура плавления - температура, при которой происходит плавление кристаллических тел. У большинства твердых тел температура плавления возрастает с увеличением внешнего давления.

Температурный коэффициент сопротивления - величина, равная отношению относительного изменения сопротивления участка электрической цепи; к температуре, вызвавшему это изменение сопротивления. Температурный коэффициент сопротивления характеризует зависимость электрического сопротивления от температуры.

Тензорезистор - резистор, изменяющий свое сопротивление при деформации. Тензорезисторы используются для измерения смещений или деформаций.

Тепловое действие электрического тока - способность электрического тока, проходящего по проводам, нагревать эти провода. Тепловое действие электрического тока подчиняется закону Джоуля-Ленца.

Термистор, Термосопротивление - полупроводниковый прибор, действие которого основано на зависимости сопротивления полупроводников от температуры. Термисторы применяются в качестве высокочувствительных датчиков температуры.

Термоэлектронная эмиссия - явление испускания электронов нагретыми телами (эмиттерами). Для вылета электрона из вещества необходимо, чтобы его кинетическая энергия была достаточна для преодоления его связи с веществом. Термоэлектронная эмиссия используется в электровакуумных приборах.

Тонкопленочный транзистор Thin-film transistor (TFT) - технология изготовления жидкокристаллических мониторов, в которых для каждого пиксела используются отдельные транзисторы.

Топология интегральной схемы - зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной схемы и связей между ними.

Точечный электронно-дырочный переход - электронно-дырочный переход в месте контакта полупроводника с металлической иглой.

Транзистор От англ.TRANsfer - переносить + REsistor - сопротивление Транзистор - электронное устройство на основе полупроводникового кристалла, в котором имеются два электронно-дырочных перехода, оказывающих влияние один на другой при их включении в электрическую цепь. Транзистор имеет в простейшем виде два входа, один из которых является регулирующим; и один выход. Транзисторы используются для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний.

Угловой градус - центральный угол, опирающийся на дугу, равную 1/360 дуги полной окружности. Градус делится на 60 минут или 3600 секунд. 1 град. ≈ 0.017 рад.

Удельная электрическая проводимость, Удельная электропроводность Electric conductivity фр.Conductivite electrique; нем.Spezifischer Elektrischer Leitwert; нем.Spezifische Elektrische Leitfahigkeit Удельная электрическая проводимость - скалярная или тензорная величина, характеризующая электропроводность соответственно изотропного или анизотропного вещества. Для изотропного вещества удельная электрическая проводимость равна отношению модуля плотности тока проводимости к модулю напряженности электрического поля. Удельная электрическая проводимость измеряется в 1/(Ом*м) = См/м. По величине удельной электрической проводимости вещества подразделяются на: проводники (свыше 1'000'000 См/м); диэлектрики (до 0.000'000'01 См/м); полупроводники (от 0.000'000'01 до 1'000'000 См/м).

Удельное электрическое сопротивление Electric resistivity фр.Resistivite electrique; нем.Elektrischer Spezifischer Widerstand - основная электрическая характеристика вещества. Удельное электрическое сопротивление численно равно сопротивлению материала проводника длиной 1 м и поперечным сечением 1 кв.м, если ток направлен вдоль нормали к поперечному сечению. Удельное электрическое сопротивление есть величина - скалярная для изотропного вещества; и - величина тензорная для анизотропного вещества.

Удельный заряд частицы - физическая величина, равная отношению заряда частицы к ее массе. Экспериментальное определение удельных зарядов частиц производится с помощью масс-спектрографов и основано на отклонении заряженных частиц в электрическом и магнитном поле.

Фотодиод - полупроводниковый приемник оптического излучения, преобразующий световые сигналы в электрические. Преобразование происходит в полупроводниковом кристалле, обладающим p-n переходом и односторонней фотопроводимостью.

Фотомагнитоэлектрический эффект - явление возникновения фотоЭДС в полупроводниковом образце, находящемся в магнитном поле.

Фотопроводимость - дополнительная электропроводность полупроводников, обусловленная действием света. Фотопроводимость зависит от рода полупроводника, его температуры, а также вида и количества примесей в нем.

Фоторезистор, Фотосопротивление - полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление которого изменяется в зависимости от его освещенности. Фоторезистор может быть чувствительным к видимому свету и к инфракрасным лучам. Фоторезисторы применяются в оптических измерениях и в фотоэлектронной автоматике в качестве датчиков освещенности.

Фототок - электрический ток, возникающий в результате фотоэффекта.

Фототранзистор - (биполярный) транзистор, в котором управление коллекторным током осуществляется на основе внутреннего фотоэффекта. Фототранзистор применяется в качестве фотоэлектрического преобразователя и одновременного усилителя электрических сигналов.

Фотоэлектронные приборы - электровакуумные или полупроводниковые приборы: - преобразующие энергию электромагнитного излучения оптического диапазона в электрическую: фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, передающие электронно-лучевые приборы и др.; или преобразующие изображения в невидимых лучах в видимые изображения: электронно-оптические преобразователи и др.

Фотоэффект, Фотоэлектрический эффект - явление, связанное с освобождением электронов твердого тела или жидкости под действием электромагнитного излучения. Различают внутренние, внешние и вентильные фотоэффекты.

Фотоэффекта законы, Законы фотоэффекта - три закона внешнего фотоэффекта: -1- максимальная скорость фотоэлектронов определяется частотой света и не зависит от его интенсивности; -2- для каждого вещества существует красная граница фотоэффекта; -3- количество электронов, испускаемых веществом за 1 с пропорционально интенсивности излучения.

Химический элемент – совокупность атомов с одинаковым зарядом ядра. Основными характеристиками химического элемента является атомный номер и атомная масса. Взаимосвязь химических элементов отражена в периодической системе элементов Менделеева.

Частица вещества - структурная единица вещества. Современная физика не устанавливает пределы структурной делимости материи, но устанавливает, что элементами, определяющими основные физические свойства тел, являются атомы, молекулы и ионы.

Шум Noise - беспорядочные, случайные колебания различной физической природы, отличающиеся сложностью временной и спектральной структуры. Для количественной оценки шума используют усредненные параметры, определяемыми на основании статистических законов. Для измерения характеристик шума применяются шумомеры, частотные анализаторы, коррелометры и другие приборы. Шумы подразделяются на статистически стационарные и нестационарные.

Эйнштейна формула для фотоэффекта – формула, выражающая квантовую природу внешнего фотоэффекта и объясняющая основные его закономерности.

Электрическая емкость конденсатора - физическая величина, измеряемая отношением заряда одной из обкладок конденсатора к напряжению между обкладками. Единицей электрической емкости конденсатора является фарада.

Электрическая емкость проводника Electric capacitance of a conductor фр.Capacite electrique d'un conducteur; нем.Elektrische Kapazitat des Leiter - скалярная величина, характеризующая способность проводника накапливать электрический заряд, равная отношению заряда проводника к его потенциалу в предположении, что все другие проводники бесконечно удалены и что потенциал бесконечно удаленной точки принят равным нулю. Единицей электрической емкости проводника является фарада.

Электрическая проводимость, Электропроводность Electric conduction фр.Conductibilite; нем.Elektrische Leitfahigkeit - способность вещества проводить под действием неизменяющегося во времени электрического поля неизменяющийся во времени электрический ток. В зависимости от вида носителей тока различают: - электронную проводимость в металлах и полупроводниках; - ионную проводимость в электролитах; и - смешанную электронно-ионную проводимость в плазме.

Электрическая цепь Electric circuit фр.Circuit electrique; нем.Elektrische Stromkreis - система устройств, которые обеспечивают прохождение электрического тока.

Электрический заряд - физическая величина, характеризующая свойство тел или частиц вступать в электромагнитные взаимодействия и определяющая значения сил и энергий при таких взаимодействиях. Электрические заряды делятся на положительные и отрицательные.

Электрический ток в вакууме - упорядоченное движение носителей заряда в вакууме. Под действием нагрева или облучения с поверхности находящегося в вакууме металла или оксида металла выбиваются электроны и становятся свободными носителями заряда.

Электрический ток проводимости Conduction electric current фр.Courant electrique de conduction; нем.Elektrischer Leitungsstrom - как явление - направленное движение свободных носителей электрического заряда в веществе или в вакууме. Направлением электрического тока считается направление упорядоченного движения положительно заряженных частиц. Различают электрический ток проводимости и конвекционный ток.

Электрическое сопротивление Electric resistance - основная электрическая характеристика проводника; величина, характеризующая противодействие электрической цепи или ее участка электрическому току. Электрическое сопротивление обусловлено преобразованием электрической энергии в другие виды энергии, измеряется в омах.

Электровакуумные приборы - лампы накаливания, электронные лампы, электронно-лучевые и рентгеновские трубки, газоразрядные приборы и другие приборы и устройства, которые применяются для преобразований электро-магнитных явлений: генерации и усиления электрических колебаний, выпрямления переменного тока и т.д. Электровакуумные приборы состоят: - из стеклянного или металлического баллона, в котором создан вакуум; и - из электродов различной формы, расположенных в баллоне.

Электролитический конденсатор - конденсатор, в котором диэлектриком служит оксидная пленка.

Электромагнитное взаимодействие - взаимодействие между электрически заряженными частицами, а также магнитное взаимодействие тел, обусловленное наличием у них электрических зарядов или магнитных моментов. Электромагнитное взаимодействие осуществляется посредством электромагнитного поля.

Электрон Electron - стабильная элементарная частица несущая отрицательный единичный электрический заряд и движущаяся в электрическом поле ядра по электронным орбитам. При переходе электрона на орбиту более близкую к ядру, электрон выделяет энергию.

Электронвольт (эВ) - внесистемная единица энергии, используемая в атомной и ядерной физике. Один эВ равен энергии, которую приобретает частица с элементарным зарядом, проходя разность потенциалов 1 В. 1эВ = 1.6E-19 Дж.

Электроника Electronics - наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и о методах создания на этой основе средств сбора, хранения, передачи и обработки информации.

Электронная электропроводность, Электропроводность n-типа; Электронная проводимость Electron conduction фр.Conductibilite d'electrons; нем. Elektronenleitfahigkeit - электропродность, обусловленная передвижением в веществе свободных электронов как основных носителей зарядов. Электронная электропроводность отличается по динамическим свойствам электронов для металлов, диэлектриков и полупроводников.

Электронная эмиссия - испускание электронов телами под влиянием внешних воздействий: нагревания, потока фотонов, электронов, ионов или сильного электрического поля. В зависимости от характера внешнего воздействия различают темоэлектронную, фотоэлектронную, ионно-электронную и автоэлектронную эмиссии.

Электронно-дырочный переход - распределение зарядов на границе двух полупроводников, обладающих различным типом проводимости, а также на границе металла и полупроводника. Вблизи электронно-дырочного перехода образуется двойной слой электрических зарядов, состоящий из отрицательных и положительных ионов примесных атомов и образующий область повышенного сопротивления (запирающий слой). Электронно-дырочный переход обладает выпрямительными свойствами. Различают плоскостные и точечные электронно-дырочные переходы.

Электронный газ - в кристалле или плазме - совокупность электронов, способных участвовать в образовании электрического тока (электронов проводимости).

Элементарная ячейка кристалла - часть кристаллической решетки, параллельные переносы которой в трех измерениях позволяют построить всю кристаллическую решетку.

Энергия поля конденсатора - потенциальная энергия электрического поля, сосредоточенного в пространстве между обкладками конденсатора.

Эпитаксия - ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого кристалла.

ЛИТЕРАТУРА.

1. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов / Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; Под. Ред. О.П. Глудкина.- М.: Горячая линия – Телеком, 2000. – 768 с.: ил.

2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 5-е изд., - СПб.: Издательство «Лань», 2001.- 480 с., ил.

3.. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов / И.П. Степаненко. – 2-е изд., перераб. и доп.- М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2003. – 488 с.: ил.

4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учебное пособие для приборостроительных спец. вузов – 2-е изд., М.: Высш. Шк., 1991. – 622 с., ил.

5. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Н.М. Тугов и др.; Под ред. В.А. Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с., ил.

6. Промышленная электроника: Учебник для вузов / Под ред. В.А. Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1988. – 320 с., ил.

7. Жеребцов И.П. Основы электроники. – 5-е изд. – Л.: Энергоатомиздат, 1990. – 352 с., ил.

8. В.И. Лачин, Ю.С. Савелов “Электроника”, Ростов-на-Дону, “Феникс”, 2001г.

9. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. «Электроника» - М.: Высшая школа,1991.

10. Сорокин В.С., Антипов Б.Л., Лазарева Н.П. Материалы и элементы электронной техники. В 2 т. – М.: Академия, 2006. – 448 с.

11. Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной техники: задачи и вопросы. – СПб.: Лань, 2003. – 208 с.

12. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: учебное пособие. – СПб.: Питер, 2006. – 522 с.

13. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: учебное пособие. – М.: Техносфера, 2005. – 408 с.

14. Покровский Ф.Н. Материалы и компоненты радиоэлектронных средств. М.: Горячая линия – Телеком, 2005. – 350 с.

ЛЁХИН Сергей Никифорович

ЛОНДИКОВ Владимир Александрович

Дата добавления: 2014-01-06