КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Мультивибратор
Рис.8.3. Принципиальная схема мультивибратора
- включен транзистор. Рис.8.4. Временные диаграммы работы мультивибратора
Мультивибратор – это устройство, имеющее два квазиравновесных состояния. Самопроизвольно переключается из одного состояния в другое, генерируя при этом импульсы прямоугольной формы. Пусть в момент времени t1 транзистор VТ1 открыт, т.е. насыщен током текущим в его базу через сопротивление R б1, а транзистор VТ2 за счет остаточного заряда на конденсаторе С2 – закрыт, ток протекающий по контуру - (+ Е R б1,2 открытый транзистор VТ1, общая точка) разряжает конденсатор С2, потенциал на базе транзистора VТ2 растет и в момент времени t2 становится отпирающим, что приводит к тому, что транзистор VТ2 начинает открываться, появление коллекторного тока VТ2 вызывает снижение напряжения на его коллекторе. Это изменение через конденсатор С1 подается в базу транзистора VТ1. Благодаря усилению тока транзистором VТ2, изменение тока в цепи С1 оказывается достаточно велико чтобы транзистор VТ1 начал выходить из насыщения. Теперь ток, раньше проходивший через его коллекторную цепь начинает ответвляться через конденсатор С2 в базу транзистора VТ2, тем самым увеличивая процесс отпирания транзистора VТ2. Т.к. после отпирания транзистора VТ2 и по мере снижения тока транзистора VТ1, ток через конденсатор С1 становится все меньше тока транзистора VТ2 и транзистор VТ2 переходит в состояние насыщения, а транзистор VТ1 закрывается перед началом этого процесса, напряжение на конденсаторе С1 было равно примерно напряжению питания. Напряжение на С1 не может измениться за короткое время опрокидывания, поэтому скачок напряжения с коллектора VТ2 подается в базу транзистора VТ1, где возникает отрицательный потенциал, далее происходит разряд конденсатора С1, по цепи – (+ Е R б1 С1 открытый транзистор VТ2, общая точка). В момент времени t2 будет достигнуто отпирание транзистора VТ1 и схема снова опрокинется. Частота генерируемых колебаний при условии их полной симметричности, т.е. R б1 = R б2 = R б, С1 = С2 = С, R K1 = R K2, частота определяется уравнением f 0≈ 0,7 R б* С.
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 325; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |