КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Датчики сил и механических передвижений
Простейший датчик:
· Функция преобразования f – нелинейна · для уменьшения нелинейности используют магнитоанизотропные материалы (получаемые ковкой растяжкой) и дополнительно нагружают датчик некоторой постоянной ямой · подобные меры позволяют уменьшить погрешность до 1,5 – 2 % · f отличается при увеличении и уменьшении нагрузки, это связано с магнитным и механическим гистерезисом материала датчика · для уменьшения магнитного гистерезиса используют материал с наиболее узкой петлёй магнитного гистерезиса · max механическое напряжения должно быть на порядок < упругости материала 2. Пьезоэлектрические датчики
· остаточная деформация отсутствует · внутренне трение очень мало · покрытие гранит Ag – получаем конденсатор · δ – толщина кварцевой пластинки · U может достигать нескольких вольт, но измерить сложно, так как заряд стекает очень быстро. · используют на частоте · рабочая частота определяется размерами и может достичь 100 МГц
w – круговая частота вынужденных колебаний τ - 1÷100 с
Различают: · проводниковые тензорезисторы · полупроводниковые тензорезисторы
проводниковые – плёночные, проволочные и тензорезисторы из фольги R0 – сопротивление недеформированного транзистора ST – тензочувсвительность материала ή – относительная деформация · лучший материал – константан (S = 2÷2.1) · нелинейность константановых преобразователей не более 1%, если относительная деформация не превышает 1 % · рабочая температура t – l до 180 С
d = 4÷12 мкм - толщина a = 5÷20 мм - длина b = 3÷10 мм – ширина 20÷50 мкм – диаметр проволочного датчика – проволочные датчики менее чувствительны полупроводниковые тензорезисторы представляют собой миниатюрную пластинку из Si или Ge Недостатки: 1. сопротивление полупроводникового транзистора существенно зависит от температуры 2. допустима гораздо меньшая деформация
4. Фоточувствительные датчики (приёмники оптического излучения)
Подразделяют на: 1. фотоэлектронные преобразователи 2. фотоэлектрические преобразователи 3. тепловые приёмники излучения фотоэлектронные датчики основаны на внешнем фотоэффекте (фотоэлектронная эмиссия): вакуумные и газонаполненные фотоэлементы; фотоэлектрические умножители (ФЭУ); электроннооптические преобразователи (ЭОП) и различные передающие телевизионные трубки (суперортиконы, диссекторы, видикон) · диапазон спектральной чувствительности 0,17÷1,2 мкм фотоэлектрические датчики – приборы на основе внутреннего фотоэффекта (фоторезисторы, приборы на основе p – n перехода) · обычно это полупроводники с одним типом проводимости · p – n переход – тиристоры, фототранзисторы, фотодиоды · у фотодиода под действием света изменяется ВАХ → возрастает обратный ток
· фототранзисторы обладают свойством усиления электрического тока, возникающее при освещении базы · при освещении базы транзистора в ней генерируются пары – электрон – дырка; электроны уходят на положительный заряд базы; увеличение положительного заряда эквивалентно увеличению отпирающего транзистора тока → ток коллектора увеличивается к фотоэлектрическим преобразователям относятся также полупроводниковые фотоэлементы (состоят из 2 контактирующих материалов Me и п/п) – в зоне контакта возникает запирающая разность потенциалов, аналогичная p – n переходу · фотоприёмное устройство (ФУ) представляет собой матрицу их фоточувствительных элементов (фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, фоточувствительных МДП структур) плюс схемы предварительной обработки сигналов (усилители, коммутаторы и другие); к фотоприёмникам относят фотоприёмники с переносом заряда – 2 вида: приборы с зарядовой связью или приборы с зарядовой инжекцией тепловые приёмники излучения – к ним относятся болометры и пироэлектрические преобразователи
Болометры: · работа болометров основана на изменении сопротивления чувствительного элемента, при повышении его температуры под действием падающего излучения (используются плёночные и п/п терморезисторы) · если плёночный терморезистор – Ni, Bi, Au, Pl; толщина ≈ 0,1 мкм; R – несколько Ом · п/п транзистор изготавливают из пластинки из Si или Ge толщиной 10-20 мкм или из смеси окисных металлов, тогда сопротивление пластинки может достигать нескольких мега Ом · в болометре имеется 2 элемента (существуют болометры, в которых имеется не 2, а 4 чувствительных элемента): - измерительный - компенсационный · многие болометры имеют встроенный каскад на полевом транзисторе Пироэлектрические преобразователи: · их работа основана на пироэлектрическом эффекте; его суть состоит в том, что при изменении температуры некоторые кристаллы и керамики поляризуются, т.е. на их гранях возникают заряды разного знака · поскольку пироэлектрический эффект имеет место только при изменении температуры, то подобные датчики используются для регистрации только импульсного или модулированного излучения (кристаллический пироэлектрик – неонат натрия)
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 467; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |