Принципы экранирования постоянного и медленно изменяющегося магнитного поля

От постоянного и медленно изменяющегося переменного магнитного поля защищаются с помощью экранов, изготовленных из ферромагнитных материалов (пермаллоя или стали) с большой относительной магнитной проницаемостью \\._г. При наличии такого экрана линии магнитной индукции проходят в основном по его стенкам (рис. 9), обладающим малым магнитным сопротивлением по сравнению с воздушным пространством внутри экрана. Качество экранирования таких полей зависит от магнитной проницаемости

экрана и сопротивления магнитопровода, которое будет тем меньше, чем толще экран и чем меньше в нем стыков и швов, идущих поперек направления линий магнитной индукции. Этот вид

экранирования называется магнитостатическим или шунтированием магнитного поля экраном. Он используется редко, только при необходимости подавить наводку на частотах 0... 1 кГц.

Рис. 9. Действие экрана, изготовленного из ферро магнитного материала

Здесь эффективность экранирования не зависит от частоты. Ее можно приближенно определить, [2], по уравнению

(6)

где µ_r - относительная магнитная проницаемость материала экрана, d -толщина стенок экрана, D - диаметр эквивалентного сферического экрана, близкий к длине стенки кубического экрана.

Дата добавления: 2014-01-07