Конспект лекций. Тема 10. Таможенное регулирование и валютный контроль внешнеэкономической деятельности

Тема 10. Таможенное регулирование и валютный контроль внешнеэкономической деятельности

Виды таможенных режимов и их характеристика. Условия и способы помещения товара в конкретные таможенные режимы. Экспортный и импортный режимы: понятие и система регулирования в России.

Система валютного контроля за экспортно-импортными операциями.

по курсу

«ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

специальности 210201

«Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

Утверждено на заседании

кафедры ЭИУ1-КФ

28.01.09 протокол № 6

Калуга, 2009 г.

Оглавление

1. Полупроводниковые диоды …………………………………………..4

1.1. Конструктивно – технологические виды диодов........................... 4

1.2. Выпрямительные диоды................................................................. 7

1.3. Импульсные и высокочастотные диоды........................................ 10

1.4. Стабилитроны................................................................................. 13

1.5. Туннельные диоды.......................................................................... 15

1.6. Варикапы......................................................................................... 21

1.7. Диоды СВЧ……………………………………………………………..21

1.8. Диоды Ганна……………………………………………………………22

1.9. Лавинно-пролетные диоды……………………………………………23

1.10. p-i-n диоды…………………………………………………………….25

1.11. Варисторы……………………………………………………………..27

1.12. Термисторы. Термоэлектрические приборы………………………..28

1.13.Тиристоры, фототиристоры, оптопары……………………………... 29

2. Транзисторы …………………………………………………………….36

2.1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов........ 36

2.2. Схемы включения транзисторов.................................................... 41

2.3. Коэффициент передачи по току...................................................... 41

2.4. Зависимость коэффициентов усиления транзисторов от режима и температуры.................................................................................................... 44

2.5. Статические характеристики транзистора в схеме с ОЭ............... 47

2.6. Модель Эббера – Молла................................................................ 49

2.7. Транзистор как линейный четырехполюсник................................ 49

2.8. Конструкции биполярных транзисторов....................................... 50

2.9. Биполярные СВЧ транзисторы с гетеропереходами…………………58

3. Усилители на транзисторах …………………………………………..60

3.1. Классификация. Режимы работы................................................... 60

3.2. Выбор рабочей точки..................................................................... 60

3.3. Стабильность рабочей точки.......................................................... 64

3.4. Расчет каскада на транзисторе в схеме с ОЭ по постоянному току................................................................................................................ 66

3.5. Транзисторный усилитель переменного напряжения................... 68

3.6. Амплитудно – частотная характеристика усилителя.................... 70

3.7. Порядок расчета транзисторных усилителей................................ 72

3.8. Эммитерный повторитель.............................................................. 73

3.9. Усилители постоянного тока.......................................................... 74

3.10. Дифференциальный усилитель..................................................... 76

4. Полевые транзисторы ………………………………………………….81

4.1. Полевые транзисторы. Общие сведения........................................ 81

4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором...................... 82

4.3. Статические характеристики МДП – транзисторов...................... 83

4.4. Основные параметры МДП – транзисторов.................................. 85

4.5. МДП-трснзисторы……………………………………………..............87

4.6. Полевые транзисторы с управляющим p – n – переходом.......... 88

4.7. Приборы с зарядовой связью………………………………………….91

4.8. Полевые СВЧ-транзисторы на основе арсенида галлия…………….. 92

4.9. Полевые СВЧ-транзисторы на гетероструктурах…………………… 94

5. Электронные приборы СВЧ...................................................................99

5.1. Клистроны……………………………………………………………….99

5.2. Лампы бегущей и обратной волны…………………………………….101

5.3. Магнетроны……………………………………………………………..103

6. Интегральные операционные усилители ……………………………105

6.1. Основные параметры ОУ................................................................105

6.2. Обратные связи................................................................................107

6.3. Идеальный ОУ. Виртуальный ноль................................................108

6.4. Инвертированный усилитель..........................................................108

6.5. Неинвертирующий усилитель.........................................................110

6.6. Аналоговые интеграторы и дифференциаторы..............................112

6.7. Инвертирующий сумматор и вычитатель.......................................112

6.8. Логарифмический усилитель, компараторы..................................116

6.9. Избирательные усилители...............................................................117

Литература…………………………………………………………………..120

Дата добавления: 2014-01-07