Иллюстрации к лекции №6

Иллюстрации к лекции №5.

Режимы распыления за счет атомных столкновения

Расчетные профили потерь энергии в кремнии протонов с энергией 0,1; 0,5; 1 МэВ.

Образование и движение электронов и дырок в полупроводниках

Зависимость коэффициента ионно-электронной эмиссии g от плотности ионного тока j при облучении графита по нормали ионами N₂⁺ энергии 30 кэВ

Увеличение или уменьшение g при изменении плотности ионного тока j обычно связывают с адсорбцией молекул остаточных газов вакуумной камеры, влияние которой исчезает при достаточно большой плотности тока j, составляющей, например, при нормальном падении ионов азота j > 0,05 мА/см².

Стабилизация электронной эмиссии с флюенсом облучения наступает при Ф > 10¹⁸ ион/см². Одной из причин этого является установление динамически равновесной топографии поверхности облучаемого образца.

Зависимость коэффициента ионно-электронной эмиссии g от флюенса при облучении графита POCO-AXF-5Q по нормали ионами Ar⁺ энергии 30 кэВ

Cхемы процесса оже-нейтрализации (а) и процессов оже-девозбуждения (б) подлетающего к поверхности положительного иона: j - работа выхода, E – энергия вылетевшего электрона

Дата добавления: 2014-01-07