Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Режим TRAPATT

Слово TRAPATT отражает два явления: «захваченная» плазма (TRA pped Plasma) и пробег области лавинного умножения (Avalanche Triggered Transit).

Рис. 2.2.6

 

Принцип действия заключается в периодическом изменении U под воздействием СВЧ. В результате заполнения обедненной области электронно–дырочной плазмы. Образование плазмы связано с прохождением волны эл. поля вызывающего ионизацию и лавинное умножение.

t1-t2: на диод подается импульс тока; до t2 напряжение меньше Uкр.

t2: E=Екр.; начинается процесс ударной ионизации. Фронт лавины движется через р-область со фазовой скоростью больше скорости насыщения носителей Vф >> Vs.

t3: Диод заполнен электронно-дырочной плазмой. Проводимость плазмы высока, поэтому напряжение на диоде мало, а значит и скорости носителей резко уменьшатся (плазма захвачена слабым полем)

t3-t4: Электроны и дырки вытягиваются из n области напряженности и скорость рассасывания растет.

t4-t1’: Носители вышли из n области, ток уменьшился, напряженность слабо растет.

Для повторения цикла необходима новая волна поля с высокой напряженностью Е. Она создается СВЧ – цепью, которая в простейшем виде выглядит так:

 

Рис. 2.2.7

ФНЧ отражает обратно все гармоники обратно к диоду (первую пропускает). Скачок напряжения в момент t1 распространяется вдоль линии и возвращается к диоды в t1’. Отраженный импульс резко увеличивает Е. В результате начинается новый процесс ионизации.

Для обеспечения высокого КПД необходимо высокое возрастание напряжения, что обеспечивается соотношением фаз и амплитуд гармоник U. А значит КПД, выходная мощность определяются не только полупроводниковой структурой но и внешней цепью.

Особенностью TRAPATT режима является большая плотность тока через диод, необходимая для увеличения скорости движения фронта ионизации. Поэтому практически не существует малосигнального TRAPATT режима. Начальный запуск в IMPATT режиме, а затем в TRAPATT режиме.

 


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Режим IMPATT. Слово IMPATT в сокращенном виде отражает названия двух явлений, Свойственных ЛПД в этом режиме работы: ударная лавинная ионизация (IMPact Avalanche) и | П 3.1 Малошумящие усилители
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 515; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2023) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.