Полевые транзисторы на гетеропереходах с селективным легированием (HEMT) (ПТ ГСЛ)

Транзисторы

Для увеличения рабочей частоты и выходной мощности нужен канал с высокой подвижностью электронов и высокой проводимостью. Увеличение проводимости достигается повышением легирования, но это приводит к уменьшению подвижности из-за рассеяния на примесях. Это противоречие преодолевается при селективном легировании. Области под Истоком и Стоком могут быть сильнолегированные.

Если InGaAs – PHEMT (псевдоморфный) Эту структуру ограничивают мощностные характеристики. Причина: малое пробойное напряжение стока из-за высоколегированного слоя GaAs. В мощных HEMT используют нелегированную обратную гетероструктуру. Для увеличения ρ делают полевые транзисторы с несколькими параллельными каналами.

Рис. 3.2.3

Уровень ρ (потенциальный барьер который может преодолеть е) зависит от соотношений элементов AlGaAs. Максимальная энергия будет при х=0.3

Характеристики транзистора:

(максимальная частота генерации)

(коэффициент шума)

U_ЗИ

Рис. 3.2.4

Дата добавления: 2014-01-07