Транзистор с проницаемой базой

Гребенка из вольфрамовой пленки встроена в монокристалл GaAs. Управление током Сток-Исток осуществляется напряжением на барьере Шоттки.

Степень легирования выбирается таким образом, чтобы при Eсм=0 ширина обедненного слоя вокруг полосок была больше расстояния между ними. При Есм>0 между Истоком и Стоком образуется проводящий канал.

Топология сложная: Гребенка - субмикронная рентгеновская технология. Сложно наращивать кристалл над металлическим затвором.

Пример:

Если гребенка с шагом 0.1 мкм, то

Можно выполнять такие транзисторы и на Si, они не такие быстродействующие как на GaAs, но гораздо лучше обычных Si БТ. Можно сделать и биполярный вариант.

В нем электронно - дырочная плазма инжектируется в зазоры сетки, где плотность плазмы управляется напряжением на сетке.

Дата добавления: 2014-01-07