Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Точечные дефекты




Дефекты строения кристаллических тел

 

Идеальная кристаллическая решетка представляет собой много­кратное повторение элементарных кристаллических ячеек. Для реального металла характерно наличие большого количества дефектов строения, нарушающих периодичность расположения атомов в кристаллической решетке. Эти дефекты оказывают суще­ственное влияние на свойства материала.

Различают три типа дефектов кристаллического строения: точечные, линейные и поверхностные.

 

Точечные дефекты (рис. 4) характеризуются малыми размерами во всех трех измерениях. Величина их не превышает нескольких атомных диаметров. К точечным дефектам относятся: а) свобод­ные места в узлах кристаллической решетки – вакансии; б) ато­мы, сместившиеся из узлов кристаллической решетки в междуузельные промежутки – дислоцированные атомы; в, г) атомы других элементов, находящиеся как в узлах, так и в междуузлиях кристаллической решетки, – примесные атомы.

Вакансии и дислоцированные атомы могут появляться вслед­ствие тепловых движений атомов при любой температуре. При комнатной температуре концентрация вакансий и дислоцирован­ных атомов сравнительно невелика, но резко повышается при нагреве, особенно вблизи температуры плавления. Точечные дефекты не закреплены в определенных объемах металла, они непрерывно перемещаются в кристаллической решетке в резуль­тате диффузии.

Прямым доказательством образо­вания вакансий в кристаллической решетке может служить эксперимент с нагревомдвух одинаковых образцов алюминия до температуры, на нес­колько градусов меньшей его тем­пературы плавления. Если охлаж­дение этих образцов провести с раз­ной скоростью, то при комнатной температуре объем быстро охлажден­ного (закаленного) образца будет на 0,2 % больше, чем объем медленно охлажденного (отожженного) образ­ца. Объясняется это тем, что при температуре, близкой к температуре плавления, благодаря диффузии части атомов к поверхности в металле образуется большое число ва­кансий. В случае медленного охлаждения большинство атомов успе­вает вернуться в исходное положение, при быстром охлаждении не успевает. Эти вакансии остаются в структуре закаленного образца. Если же закаленный образец вновь нагреть и медленно охладить, разница между объемами образцов исчезает.

Точечные дефекты производят локальное изменение межатом­ных расстояний, тем самым искажая кристаллическую решетку. При этом увеличивается сопротивление решетки дальнейшему смещению атомов, что способствует некоторому упрочнению кри­сталлов и повышает их электросопротивление.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 385; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.011 сек.