КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Полевые транзисторы. Униполярные транзистроры
Униполярные транзистроры. Полевой транзистор с управляющим переходом и каналом p типа
Полевые транзисторы были предложены где-то в 30-е г.г.. Были реализованы позже б/п. Между затвором, истоком и стоком может подаваться определенное напряжение. Подаем переменное напряжение так, что n-p переход включен в обратном направлении. Ширина запирающего слоя начинает меняться. Соответственно меняется ширина канала. Ширина объединенного слоя увеличивается, а ширина канала, который может проводить ток, уменьшается. Соответственно изменяется проводимость. Таким образом, с помощью маленького сигнала меняем проводимость транзистора. Если подать слишком большое напряжение, ширина запирающего слоя может перекрыть весь канал, и транзистор перейдет в режим отсечки. Все основные закономерности похоже на те, что имеют место в случае б/п транзистора, но принцип работы другой. Есть объединенный слой. Поэтому такой транзистор будет характеризоваться барьерной емкостью, так же как б/п транзистор. Диффузионной емкости тут не будет, поскольку нет инжекции. Для полевого транзистора также могут быть выделены схемы включения с общим истоком (эквивалентно схеме с общим Э), с общим затвором (эквивалентно схеме с общей Б), с общим стоком (эквивалентно схеме с общим К).
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 369; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |