Методы стабилизации положения РТ

Под действием внешних и внутренних дестабилизирующих факторов положение РТ может измениться настолько, что транзистор окажется в нерабочей области.

Дестабилизирующие факторы:

- основное влияние – изменение температуры,

- дрейф параметров элементов схемы,

- дрейф напряжения источника питания Ек.

Как отмечалось ранее с повышением температуры транзистора его параметры изменяются таким образом, что приводят к увеличению тока коллектора. Для уменьшения этого влияния применяют специальные методы.

Используется несколько схем стабилизации:

- эмиттерная стабилизация (обратная связь по току),

- коллекторная стабилизация (обратная связь по напряжению,

- термокомпенсация.

С повышением температуры транзистора его ток коллектора увеличивается.

Схема с эмиттерной стабилизацией

Iк ^о увеличивается с повышением температуры,а напряжение U_б остается неизменным.

В результате напряжение U_бэ = U_б - U_э уменьшается, что приводит к закрыванию транзистора и уменьшению тока коллектора. Полной компенсации влияния температуры достичь не удается.

Качество стабилизации оценивается коэффициентом температурной нестабильности S_т.

В – статический коэффициент передачи тока базы.

Если Rэ = 0, γ = 0, термостабилизация отсутствует S_т = В

Если Rэ >> Rб, γ → 1,

где α ≈ (0,9 – 0,99).

Таким образом коэффициент может изменяться в пределах S_т ≈ (1 ÷ 100).

Стабилизация считается хорошей, если S_т ≈ (3 ÷ 5).

Такое значение коэффициента задают в случае, если температура изменяется в диапазоне 60 ÷ 80 С.

Пример. Оценим значение коэффициента Sт.

Такой коэффициент задают, если температура изменяется в диапазоне 50 С.

Дата добавления: 2014-01-07